Предварительный список приглашенных докладов:

Микро- и наноэлектроника

  • К.А. Воротилов, А.С. Сигов. «Пористые пленки и композиты для применений в микроэлектронике: новые подходы». МИРЭА – Российский технологический университет (РТУ МИРЭА), Москва, Россия.
  • М.В. Дорохин. «Свойства и применение многослойных тонких плёнок вида «ферромагнетик/тяжёлый металл» в приборах оптоэлектроники и спинтроники». Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» (ННГУ), Нижний Новгород, Россия.
  • В.П. Попов. «UTBB SOI с локальными TR-HR сверхвысокоомными слоями для радиофотонных интегральных схем». Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
  • В.Г. Сторчак и др. «Двумерные редкоземельные материалы для спинтроники: альтермагнетики, ферромагнетики и их гетероструктуры». НИЦ «Курчатовский институт», Москва, Россия.
  • Н.И. Чхало. «Рентгеновская литография на длине волны 11,2 нм: состояние дел и перспективы». Институт физики микроструктур РАН – филиал ИПФ им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия.

Квантовые технологии

  • В.В. Додонов. «Связь между квантовым ограничением скорости и квантовой информацией». University of Brasilia, Brasilia.
  • С.П. Кулик. «Космические квантовые коммуникации». МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия.
  • В.И. Манько. «Вероятностное представление состояний квантовых систем». Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия.
  • И.И. Рябцев и др. «Трехфотонное лазерное возбуждение и трехчастичные взаимодействия ридберговских атомов для квантовой информатики». Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.