Время (мск)

Мероприятие

14.00 – 18.00

Регистрация по адресу: Ярославль, ул. Советская, 14.

18.00 – 19.00

Дружеская встреча (о месте проведения будет объявлено позднее)

Время (мск)

Конференц-зал

Аудитория А

Аудитория Б

9.00 – 11.00

Пленарная сессия I. 

Новые приборы и технологии

—————

—————

11.00 – 11.20

Перерыв на кофе

11.20 – 13.20

Пленарная сессия II.

Квантовая информатика I

Сессия 1.

Перспективные приборы для ИС

Сессия 2.

Перспективная литография

13.20 – 14.20

Обед

14.20 – 16.00

Сессия 3.

Приборы СВЧ и терагерцового диапазона

Сессия 4.

Метаматериалы для оптоэлектроники и сенсорики

Сессия 5.

Квантовая информатика II

16.00 – 16.20

Перерыв на кофе

16.20 – 18.00

Сессия 6.

Моделирование приборов

Сессия 7.

Материалы для приборов оптоэлектроники

Сессия 8.

Квантовая информатика III

ВРЕМЯ (МСК)

КОНФЕРЕНЦ-ЗАЛ

АУДИТОРИЯ А

АУДИТОРИЯ Б

9.00 – 11.00

Пленарная сессия III 

Физика поверхности и гетерограниц I

Сессия 9.

Материалы и структуры для магнитной памяти

Сессия 10.

Квантовая информатика IV

11.00 – 11.20

Перерыв на кофе

11.20 – 13.00

Сессия 11.

Физика поверхности и гетерограниц II

Сессия 12.

Технология 2D-материалов

Сессия 13.

Квантовая информатика V

13.00 – 14.00

Обед

14.00 – 15.40

Сессия 14.

Структуры и приборы оптоэлектроники I

Сессия 15.

Технологические процессы

Сессия 16.

Квантовая информатика VI

15.40 – 16.00

Перерыв на кофе

16.00 – 17.40

Сессия 17.

Структуры и приборы оптоэлектроники II

Сессия 18.

Сегнетоэлектрические приборы для микроэлектроники

Сессия 19.

Квантовая информатика VII

ВРЕМЯ (МСК)

Фойе

17.40 – 18.40

СТЕНДОВАЯ СЕССИЯ I

ВРЕМЯ (МСК)

КОНФЕРЕНЦ-ЗАЛ

АУДИТОРИЯ А

АУДИТОРИЯ Б

9.00 – 10.40

Сессия 20.

Метрология и диагностика материалов и структур I

Сессия 21.

Резистивное переключение и мемристорный эффект I

Сессия 22.

Сенсоры и МЭМС I

10.40 – 11.00

Перерыв на кофе

11.00 – 12.40

Сессия 23.

Моделирование плазмы и плазменных микротехнологий I

Сессия 24.

Резистивное переключение и мемристорный эффект II

Сессия 25.

Сенсоры и МЭМС II

13.00 – 14.00

Обед

14.00 – 17.20

Экскурсия по Ярославлю/Круглый стол «Квантовые технологии»/Тренинг по технологиям осаждения тонких пленок

ВРЕМЯ (МСК)

Фойе

17.40 – 18.40

СТЕНДОВАЯ СЕССИЯ II

ВРЕМЯ (МСК)

КОНФЕРЕНЦ-ЗАЛ

АУДИТОРИЯ А

АУДИТОРИЯ Б

9.00 – 10.20

Сессия 26.

Моделирование плазмы и плазменных микротехнологий II

Сессия 27.

Резистивное переключение и мемристорный эффект III

Сессия 28.

Сенсоры и МЭМС III

10.40 – 11.00

Перерыв на кофе

11.00 – 12.00

Сессия 29.

Моделирование плазмы и плазменных микротехнологий III

Сессия 30.

Метрология и диагностика материалов и структур II

—————

9.00

L1-01

Приглашенный: 65 лет масштабирования транзисторов: что дальше? В. Свердлов¹, S. Selberherr². 1. Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria. 2. Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria.

9.30

L1-02

Приглашенный: Рентгеновская литография на длине волны 11,2 нм: состояние дел и перспективы. Н.И. Чхало, В.В. Паулс. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород.

10.00

L1-03

Приглашенный: Материалы и технологические проблемы при масштабировании межсоединений и интеграция RRAM для современных архитектур памяти. Д. Исламов^1,2, П. Бобовников³, Т. Перевалов¹, М. Бакланов⁴. 1. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск. 2. Новосибирский государственный университет, Новосибирск. 3. АО «НИИМЭ», Зеленоград. 4. Российский технологический университет  МИРЭА, Москва.

10.30

L1-04

Приглашенный: UTBB SOI структуры с локальными TR-HR сверхвысокоомными слоями для радиофотонных интегральных схем. В.П. Попов¹, В.Е. Жилицкий¹, В.А. Антонов¹, Ф.В. Тихоненко¹, Л.Н. Сафронов¹, А.В. Мяконьких², К.В. Руденко². 1. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск. 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

11.20

qL1-01

Перенесен на четверг (круглый стол по квантовым технологиям)

11.50

qL1-02

Перенесен на четверг (круглый стол по квантовым технологиям)

12.20

qL1-03

Международный год квантовой физики и квантовых технологий: история и перспективы. Н.А. Богданова^1,2, Ю.И. Богданов^1,2, В.Ф. Лукичев¹. 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград. 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

12.50

qL1-04

Производительность кутритного алгоритма QAOA с фиксированными параметрами под влиянием шумов. А.Ю. Чернявский (online), Б.И. Бантыш, Ю.И. Богданов. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

11.20

O1-01

Одиночные радиационные эффекты как фундаментальное ограничение цифровой электроники. Г. Зебрев. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва.

11.40

O1-02

Полевой транзистор с острыми контактами Шоттки на истоке и стоке. И. Семенихин¹, Д. Свинцов², В. Вьюрков^1,2, К. Руденко^1,2, В. Лукичев^1,2. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва. 2. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный.

12.00

O1-03

Методика характеризации локального рассогласования параметров МОП-транзисторов. Д. Майфет¹ (online), С. Белостоцкая¹, А. Руденко¹, А. Шемякин¹, В. Шевяков². 1. «Технологический центр», Зеленоград. 2. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград.

12.20

O1-04

Компактная нелокальная модель для устройств молекулярной электроники на основе метода Хюккеля. Н.М. Шубин^1,2, М.Н. Журавлев², Ю.А. Успенский¹, А.В. Емельянов¹, А.А. Горбацевич^1,2. 1. Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва. 2. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград.

12.40

O1-05

Одноэлектронные устройства на основе примесных атомов в кремнии с окисленным легированным слоем. С. Панкратов¹ (online), Д. Кусакина¹, А. Мяконьких², А. Рогожин², В. Крупенин¹, А. Трифонов¹, А. Шорохов¹, Д. Преснов¹. 1. Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва. 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

11.20

O1-06

Предсказательная компактная модель фотолитографии со стохастическим контрастом. А.А. Шарапов^1,2, Е.С. Горнев¹. 1. АО «НИИМЭ», Зеленоград. 2. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный.

11.40

O1-07

Оптимизация нанесения плёнок фоторезиста способом ультразвукового распыления с электростатическим переносом. В.А. Петухов, К.А. Царик, А.В. Лашков. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград.

12.00

O1-08

Исследование влияния конструкции знаков совмещения и используемого дифракционного порядка на величину рассовмещения в субмикронной фотолитографии при формировании толстоплёночной алюминиевой разводки кремниевых транзисторных структур. Ю.А. Чаплыгин¹, Д.Ю. Шелкунов^1,2 (online), В.И. Шевяков¹. 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград. 2. ООО «НМ-Тех», Зеленоград.

12.20

O1-09

Сравнение резиста PMMA и оловооксокластера TOC-21в качестве негативного резиста для электронно-лучевой литографии. К. Никитин¹, К. Царик¹, М. Захарина². 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград. 2. Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева РАН, Нижний Новгород.

12.40

O1-10

Формирование наноразмерных радиационных потоков для рентгеновской сканирующей литографии. В. Егоров¹, Е. Егоров^1,2. 1. Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых веществ РАН, Черноголовка. 2. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино.

13.00

O1-11

Применение коллоидной литографии для создания наноструктур. В.П. Кудря. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

14.20

O1-12

Низкопороговый терагерцовый лазер на основе металлического желоба с активным графеном. М.Ю. Морозов, К.В. Машинский, В.В. Попов. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов.

14.40

O1-13

Дискретный 6-ти разрядный фазовращатель X-диапазона для применения в системах радиолокации. А. Кулиш^1,2 (online), В. Лосев¹. 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград. 2. АО «Микроволновые системы», Москва.

15.00

O1-14

Исследование способов улучшения характеристик сверхпроводящих параметрических усилителей бегущей волны. В Корнев, А. Николаева, Н. Колотинский. Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва.

15.20

O1-15

Параметрический резонанс и хаотическая динамика фазы двухконтактного СКВИДА. Д.П. Чернышев, А.М. Сатанин (online). Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва.

14.20

O1-16

Перспективные киральные метаматериалы на основе наноструктрированных тонких пленок для фотоники и биосенсорики. О.С. Трушин¹, И.С. Фаттахов¹, А.А. Попов¹, Л.А. Мазалецкий^1,2, А.С. Федоров^3,4, М.В. Логунов^3,4. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «КУрчатовский институт», Ярославль. 2. Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль. 3^. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный. 4. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва.

14.40

O1-17

Исследование формирования элементов метаповерхности на основе кремния для сенсорных устройств. В. Климин¹ (online), Е. Гусев¹, В. Поляков¹, Л. Маслова¹, S. Wang², L. Jiang², Z. Wang², W. Zhang^2,3, О. Агеев^1,4. 1. Южный федеральный университет, Таганрог. 2. School of Optoelectronic Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China. 3. Laser Institute, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China. 4. Южный федеральный университет, Таганрог.

15.00

O1-18

Специфическая волна аккумуляции электромагнитной энергии в случайной среде из малых сферических частиц с магнитным дипольным резонансом Ми. М.Ю. Барабаненков^1,2, А.Г. Итальянцев¹. 1. АО «НИИМЭ», Зеленоград. 2. ИПТМ РАН, Черноголовка.

15.20

O1-19

Фото- и рентгеновская проводимость слоистых кристаллов TlGaS₂, легированных хромом. С.М. Асадов^1,2,3 (online), С.Н. Мустафаева⁴, В.Ф. Лукичев⁵. 1. Modeling Group, Scientific Research Institute of Geotechnological Problems of Oil, Gas and Chemistry, Baku, Azerbaijan. 2. Nagiyev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry, Baku, Azerbaijan. 3. Department of Industrial Machines, Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan. 4. Institute of Physics, Baku, Azerbaijan. 5. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

15.40

O1-20

Люминесценция и спектроскопия комбинационного рассеяния света поликристаллических алмазных пленок с центрами азот-вакансия для преобразователей вакуумного ультрафиолетового излучения. А.Н. Демидова, Е. Ильичев, Д.А. Корляков, Г.Н. Петрухин, А.В. Ромашкин, Г.С. Рычков, Н.В. Финогеев. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград.

14.20

q1-01

Исследование оптических квантовых состояний с использованием производящих функций амплитуд вероятностей. Ю.И. Богданов^1,2, Н.А. Богданова^1,2, В.Ф. Лукичев¹. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва, 2. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград.

14.40

q1-02

Ловушечное поведение в ландшафтах задач квантового управления. Б. Волков^1,2, А. Мячкова¹, И. Королев^1,2, А. Печень^1,2. 1. Математический институт им. В.А. Стеклова РАН, Москва, 2. Университет науки и технологии «МИСИС», Москва.

15.00

q1-03

Моделирование твердотельных структур с одиночным электроном. И. Семенихин¹, Л. Федичкин^1,2, В. Вьюрков^1,2. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва, 2. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный.

15.20

q1-04

Квантовые каналы, комплексные многообразия Штифеля и оптимизация. И. Русских¹, Б. Волков¹, А. Печень^1,2. 1. Математический институт им. В.А. Стеклова РАН, Москва, 2. Институт системного программирования им. В.П. Иванникова, Москва.

15.40

q1-05

Вращение состояний поляризации в квантовой и классической оптической связи спутник-Земля. А. Хмелев^1,2,3,4, К. Барбышев^2,3, А. Дуплинский^2,5, Л. Письменюк², А. Чернов^1,2,3,4, Е. Ивченко^1,2,3,4, В. Курочкин^1,2,3,4. 1. Российский квантовый центр, Москва. 2. QSpace Technologies, Москва. 3. Университет науки и технологии «МИСИС», Москва. 4. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный. 5. Высшая школа экономики, Москва.

16.20

O1-21

Моделирование полевых транзисторов на основе двухслойного графена и резонансно-туннельных гетероструктур на основе 2D-материалов с вертикальным транспортом. И. Абрамов, В. Лабунов, Н. Каламейцева. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск.

16.40

O1-22

Моделирование баллистического полевого транзистора на основе Al_xGa_1–xAs квантовой проволоки с цилиндрическим затвором. Д. Поздняков, А. Борздов (online), В. Борздов. Белорусский государственный университет, Минск.

17.00

O1-23

Моделирование влияния температурных режимов на вольтамперные характеристики полевых транзисторов на карбиде кремния. А. Кривенков¹, Г. Зебрев². 1. Краснознаменский завод полупроводниковых приборов «Арсенал», Краснознаменск. 2. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва.

17.20

O1-24

Учёт эффектов уменьшения подвижности под затвором, смещения подложки и насыщения дрейфовой скорости в уравнении для тока насыщения внешнего МОП-транзистора. В. Турин¹, О. Пронина¹, А. Рогов², В. Щеглов³, Г. Зебрев⁴, С. Кокин⁵, С. Макаров⁵, Б. Рахматзода⁶. 1. Орловский государственный университет им. И.С. Тургенева, Орел. 2. АО «Протон», Орел. 3. АО “Электрум АВ”, Орел. 4. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва. 5. ООО «Интегральные решения«, Зеленоград. 6. Tajik National University, Dushanbe, Tajikistan.

17.40

O1-25

Модель накопления поверхностных состояний в p-МОП-транзисторах при отрицательном смещении. О. Александров, Н. Морозов (online). СПб электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург.

16.40

O1-26

Оптические свойства кремния, гипердопированного селеном, для ИК-фотоприемников широкого спектра действия: эффекты лазерной и термической обработки. Ф. Комаров¹ (online), Н. Ковальчук², И. Пархоменко³, О. Мильчанин¹, Ю. Харлович¹. 1. Институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко Белорусского государственного университета, Минск. 2. АО «Интеграл», Минск. 3. Белорусский государственный университет, Минск.

17.00

O1-27

Исследование типа проводимости плёнок нестехиометрических германосиликатных стёкол. Г.А. Хамуд^1,2, Г.Н. Камаев¹, M. Vergnat³, В.А. Володин^1,2. 1. Институт физики полупроводников им. В.А. Ржанова, Новосибирск. 2. Новосибирский государственный университет, Новосибирск. 3. Université de Lorraine, Nancy, France.

17.20

O1-28

Изменение цвета пленки a—Si на поверхности Al-4%Cu/Si(100) при ее распылении в аргоновой плазме. И. Амиров, М. Изюмов. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль.

17.40

O1-29

Наведенные электромагнитным возбуждением токи в треугольном кластере наносфер. М.Ю. Барабаненков^1,2, А.А. Сапегин¹, А.А. Крылов¹. 1. АО «НИИМЭ», Зеленоград. 2. ИПТМ РАН, Черноголовка.

16.20

q1-06

Алгоритм преобразования схемы квантового хеширования с учётом связности и минимизации числа CNOT-гейтов. И. Зиннатуллин (online), К. Хадиев. Институт вычислительной математики и информационных технологий Казанского федерального университета; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр, Казань.

16.40

q1-07

Анализ параметров системы волновод-резонатор-атом для квантовой памяти. Л.А. Идрисова, Н.М. Арсланов, С.А. Моисеев. Казанский национальный исследовательский технологический университет им. А.Н. Туполева, Казань.

17.00

q1-08

Оценка эффективности алгоритма хеширования Тёплица при обработке шумовых сигналов с ограниченным диапазоном частот. А. Камалов¹ (online), М. Сибгатуллин^1,2, Н. Арсланов¹. 1. Казанский национальный исследовательский технологический университет им. А.Н. Туполева, Казань. 2. Институт прикладных исследований АН РТ, Казань.

17.20

q1-09

Гейтовая сложность квантовой схемы прогнозирования моделью случайный лес для линейной архитектуры. К. Хадиев (online), Л. Сафина, И. Зиннатуллин. Институт вычислительной математики и информационных технологий Казанского федерального университета; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр, Казань.

17.40

q1-10

Реализация сокращенной схемы для фазовой формы квантового хеширования и локально чувствительного хеширования на шумном симуляторе IBMQ. К. Хадиев^1,2 (online), Д. Мельников¹, К. Алтинбаев¹, А. Хадиева^1,2. 1. Институт вычислительной математики и информационных технологий Казанского федерального университета, Казань. 2. Физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр, Казань.

9.00

L2-01

Приглашенный: Двумерные редкоземельные материалы для спинтроники: альтермагнетики, ферромагнетики и их гетероструктуры. Д.В. Аверьянов¹, И.С. Соколов¹, О.Е. Парфенов¹, А.Н. Михалюк², О.А. Кондратьев¹, А.Н. Талденков¹, А.М. Токмачев¹, В.Г. Сторчак¹. 1. НИЦ «Курчатовский институт», Москва. 2. Дальневосточный федеральный университет, Владивосток.

9.30

L2-02

Приглашенный: Свойства и применение многослойных тонких плёнок вида «ферромагнетик/тяжёлый металл» в приборах оптоэлектроники и спинтроники. М.В. Дорохин, П.Б. Дёмина, А.В. Здоровейщев, М.В. Ведь, И.Л. Калентьева, Д.А. Здоровейщев, А.В. Кудрин, Д.А. Татарский, Ю.М. Кузнецов. Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород.

10.00

L2-03

Приглашенный: Электрохимия с твёрдыми электролитами в микроэлектронике. А. Скундин¹, Т. Кулова¹, А. Рудый². 1. Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва. 2. Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль.

10.30

L2-04

Термомиграция кластеров на поверхности наноматериалов. Э. Бучин. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль.

9.00

O2-01

Приглашенный: Новые тенденции в области магниторезистивной памяти. V. Sverdlov¹, N.P. Jørstad¹, B. Pruckner¹, M. Bendra², W. Goes³, S. Selberherr². 1. Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria. 2. Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria. 3. Silvaco Europe Ltd., Cambridge, United Kingdom.

9.30

O2-02

Эволюция магнитной неоднородности в ферромагнитном слое ячейки MRAM с закрепленными границами. Н.В. Островская (online), В.А. Скиданов. НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

9.50

O2-03

Микромагнитное моделирование гексагональных ансамблей высокоаспектных нанопроволок ферромагнетиков железа, никеля и кобальта. Е.А. Грушевский, Н.Г. Савинский, О.С.Трушин. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль.

10.10

O2-04

Токовые эффекты в анизотропном магнитосопротивлении метаматериалов из ферро- и антиферромагнитных металлов. Л. Фомин^1,2, И. Маликов¹, В. Березин¹. 1. Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка. 2. АО «НПО «Алмаз» им. А.А. Расплетина, Москва.

10.30

O2-05

Многоуровневая релаксационная модель для описания кривых намагничивания наночастиц. А.В. Лобачев, М.А. Чуев. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

9.00

q2-01

Сферическое квантовое хеширование. А. Васильев^1,2 (online). 1. Казанский федеральный университет, Казань. 2. Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань.

9.20

q2-02

Нейросетевой подход к оценке случайности в реальном времени на основе NIST-тестов. А.А. Гарафутдинов¹ (online), М.Э. Сибгатуллин^1,2, Н.М. Арсланов¹. 1. Казанский национальный исследовательский технический университет им. А. Н. Туполева – КАИ, Казань. 2. Институт прикладных исследований Академии наук Республики Татарстан, Казань.

9.40

q2-03

Сравнение эффективности методов лексикографического ранжирования и дискретного вейвлет-преобразования для постобработки случайного шума. Д. Мавков¹, М. Сибгатуллин^1,2,3, Л. Гилязов¹, Н. Арсланов¹. 1. Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н.Туполева-КАИ, Казань. 2. Академия наук Республики Татарстан», Казань. 3. Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань.

10.00

q2-04

Квантовый поиск в словаре на основе функции отпечатков. Ф. Аблаев¹, Н. Салихова² (online). 1. Казанский Федеральный университет, Казань,. 2. Казанский Федеральный университет, Казань.

10.20

q2-05

Построение квантовой схемы решения задачи о рюкзаке в контексте задачи поиска элементов в неупорядоченной таблице. К. Степаненко^1,2 (online). 1. Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань. 2. Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань.

11.20

O2-06

Исследование изменений аллотропной структуры поверхности графита, подвергнутого плазменному воздействию. В. Афанасьев¹, М. Семенов-Шефов¹ (online), Л. Лобанова², П. Едельбекова³, Л. Волкова³, L. Zhang², S. Wang², J. Chen², H. Liu². 1. Национальный исследовательский университет «МЭИ», Кафедра общей физики и ядерного синтеза, Москва. 2. Институт физики плазмы, Китайская академия наук, Хефей, Китай. 3. Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва.

11.40

O2-07

Анализ электрического сопротивления тонких пленок Al на основе данных об их плотности. А. Ломов¹ (online), М.А. Тарасов², К.Д. Щербачев³, А.А. Татаринцев¹, А.М. Чекушкин². 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва. 2. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва. 3. НИТУ МИСИС,Москва.

12.00

O2-08

Оксидные антиферромагнитные материалы для барьеров в переходах Джозефсона на основе купратного сверхпроводника. Ю.В. Кислинский¹, К.И.Константинян¹, И.Е. Москаль¹, А.М. Петржик¹, В.А. Байдикова^1,2, Н.В. Дубицкий^1,2, К.Е. Нагорных¹, Г.Д. Ульев^1,3, А.В. Шадрин^1,4, Г.А. Овсянников¹. 1. ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва. 2. МИРЭА, Российский Технологический университет, Москва. 3. Национальный исследовательский университет ВШЭ, физический факультет, Москва. 4. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный.

12.20

O2-09

Интерфейсный потенциал и топологические связанные состояния в микроскопической модели сильной связи. А. Широков¹, А. Горбацевич^1,2. 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград. 2. Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва.

12.40

O2-10

Интегрируемый планарный аккумулятор с композитными электродами. М.А. Евстафьев¹, А.И. Новосельцев¹, И.С. Маринкин¹, Р.М. Рязанов², И.М. Гаврилин¹, Е.А. Лебедев¹, В.А. Кривченко³. 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград. 2. НПК «Технологический центр», Зеленоград. 3. Государственный университет «Дубна», Дубна.

11.20

O2-11

Фемтосекундная лазерная литография как перспективная технология обработки одно- и двумерных материалов. И. Бобринецкий. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный.

11.40

O2-12

Обеспечение качества и воспроизводимости процессов магнетронного нанесения тонких пленок MoS₂. А.И. Беликов, М.А. Шарапков¹ Н.М. Синявин. МГТУ им.Н.Э. Баумана, Москва.

12.00

O2-13

Вертикально-ориентированный MoS₂: синтез, морфология и оптические свойства. П.Г. Уймина¹, А.Б. Спешилова², М.А. Аникина^1,3, А.Д. Большаков^1,3,4,5. 1. Московский физико-технический институт, Долгопрудный. 2. Санкт-Петербургский университет Петра Великого, Санкт-Петербург. 3. Санкт-Петербургский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург. 4. Ереванский государственный университет, Ереван, Республика Армения. 5. Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург.

12.20

O2-14

Перенос заряда и частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов TlGa_1-xTm_xS₂. С.М. Асадов^1,2,3 (online), С.Н. Мустафаева⁴, В.Ф. Лукичев⁵. 1. Modeling Group, Scientific Research Institute of Geotechnological Problems of Oil, Gas and Chemistry, Baku, Azerbaijan. 2. Nagiyev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry, Baku, Azerbaijan. 3. Department of Industrial Machines, Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan. 4. Institute of Physics, Baku, Azerbaijan. 5. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

12.40

O2-15

Выращивание гетероструктур AlGaN/GaN с использованием Ga—rich/N-rich режимов роста на кремниевых подложках методом аммиачной МЛЭ. Д. Тужилин, К. Царик. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград.

11.20

q2-06

Сравнение методов бенчмаркинга двухкубитных квантовых операций. Б.И. Бантыш (online), Ю.И. Богданов. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

11.40

q2-07

Разработка методов контроля элементной базы квантовых компьютеров с учетом декогерентизации и квантовых шумов. И.К. Голышев^1,2, И.А. Дмитриев^1,2, К.Б. Кокшаров^1,2, Н.А. Богданова^1,2, Ю.И. Богданов^1,2. 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград. 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

12.00

q2-08

Томография оптических квантовых состояний с учетом неидеальностей детекторов, различающих число фотонов. И.А. Дмитриев^1,2, И.К. Голышев^1,2, Н.А. Богданова^1,2, Ю.И. Богданов^1,2, В.Ф. Лукичев². 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград. 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

12.20

q2-09

Прецизионная реконструкция кудитов с учётом ошибок измерений при помощи матрицы несоответствий. К.Б. Кокшаров^1,2, Н.А. Богданова^1,2, Ю.И. Богданов^1,2, В.Ф. Лукичев². 1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Москва. 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

12.40

q2-10

Анализ квантовых вычислительных ресурсов при реализации квантового преобразования Фурье и алгоритма Гровера на кудитных системах. А.С. Чудаков (online)¹, Н.A. Борщевская¹, Д.В. Фастовец², А.Ю. Чернявский², Б.И. Бантыш², Ю.И. Богданов². 1. Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

14.00

O2-16

Приглашенный: Интеллектуальная оптоэлектроника на двумерных материалах. Д. Свинцов^1,2, В. Сёмкин¹, М. Кащенко^1,2, К. Капралов^1,2, И. Домарацкий^1,2, А. Шабанов^1,2, И. Мазуренко¹, О. Кононенко^2,3, А. Бочаров^1,2. 1. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный. 2. Акционерное общество «Сканда Рус», Красногорск. 3. Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка.

14.30

O2-17

Эпитаксиально-интегрированные лазерно-тиристорные гетероструктуры для мощных импульсных излучателей. Т.А. Багаев¹, А.И. Желнин¹, М.А. Ладугин¹, А.А. Мармалюк¹, Ю.В. Курнявко¹, А.В. Лобинцов¹, А.И. Данилов¹, С.М. Сапожников¹, А.А. Морозюк¹, В.В. Кричевский¹, В.П. Коняев¹, В.А. Симаков¹, С.О. Слипченко², А.А. Подоскин², Н.А. Пихтин². 1. АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», Москва. 2. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург.

14.50

O2-18

Численный расчет электрооптических характеристик квантово-размерных гетероструктур для создания оптических модуляторов. С.В. Хазанова, А.И. Бобров, А.С. Панфилов, А.П. Горшков, А.В. Нежданов. ННГУ им. Лобачевского, Нижний Новгород.

15.10

O2-19

Полное разрешение поляризационного состояния при помощи единственного детектора с геометрически паттернированными контактами. А. Шабанов (online), В. Сёмкин, Д. Свинцов, М. Кащенко, И. Домарацкий, И. Мазуренко¹, В. Мыльцев. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный.

15.30

O2-20

Разработка методики преобразования СВЧ сигналов в оптический диапазон. А.С. Тимошенков (online), Ю.И. Штерн, В.С. Соловьев. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград.

14.00

O2-21

Приглашенный: Пористые и композитные пленки для микроэлектроники: новые подходы. К. Воротилов, А. Сигов. МИРЭА – Российский технологический университет (РТУ МИРЭА), Москва.

14.30

O2-22

BEOL-совместимые устройства для монолитной 3D-интеграции в перспективной электронике. Е. Замбург (online). National University of Singapore, Singapore.

14.50

O2-23

Межсоединения на основе рутения для мемристорных кроссбаров. А. Рогожин^1,2, О. Глаз^1,2, А. Резнюков^1,2, А. Мельников¹. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва. 2. НИУ «МЭИ», Москва.

15.10

O2-24

Использование пористых low—k диэлектриков для самоконтроля загрязнённости вакуумной камеры при УФ-отжиге. М. Гэрэлт-Од¹, А. Вишневский¹, Ф. Коняхин², Д. Лопаев², К. Воротилов¹, М. Бакланов¹. 1. МИРЭА – Российский технологический университет (РТУ МИРЭА), Москва,. 2. НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва.

14.00

q2-11

Квантовая запутанность в двухспиновых системах в многоимпульсном спиновом локинге ЯМР с дефазирующей релаксацией. Г.А. Бочкин (online), А.И. Зенчук, Е.И. Кузнецова_, А.В. Федорова, Э.Б. Фельдман. Федеральный исследовательский Центр проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка.

14.20

q2-12

Создание произвольного квантового состояния посредством контролируемого измерения. А.И. Зенчук (online)¹, В. Ци², Ю. У³. 1. Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка. 2. Institute of Quantum Computing and Computer Theory, School of Computer Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China. 3. School of Mathematical Sciences, Zhejiang University, Hangzhou, China.

14.40

q2-13

Восстановление квантовых когерентностей в коммуникационной линии посредством контролируемого взаимодействия с окружающей средой. Э.Б. Фельдман¹, И.Д. Лазарев^1,2, А.Н. Печень^3,4, А.И. Зенчук¹. 1. ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка. 2. Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва. 3. Математический институт им. В.А. Стеклова РАН, Москва. 4. Университет науки и технологий «МИСИС», Москва.

15.00

q2-14

Детерминированное распределение запутанности в квантовых сетях макроскопических БЭК кубитов. А.Н. Пырков¹ (online), И.Д. Лазарев¹, T. Byrnes². 1. ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка. 2. Шанхайский филиал Университета Нью—Йорка, Шанхай, Китай.

15.20

q2-15

Метрика декогерентности однокубитного ионного гейта. Л. Федичкин¹, А. Кузнецова². 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва. 2. Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Москва.

16.00

O2-25

Сравнительный анализ вычислительных методов для моделирования нанофотонных резонаторов. А.И.Гарифуллин, В.К.Болдышева, О.А Ермишев, Н.М.Арсланов. Казанский национальный исследовательский технологический университет им. А. Н. Туполева – КАИ, Казанский Квантовый центр, Казань.

16.20

O2-26

Поиск оптимальных параметров многомодового оптического волновода из композитного полимера для генерации двухфотонных пар. О. Ермишев, В. Болдышева, Н. Арсланов. Казанский национальный исследовательский технологический университет им. А. Н. Туполева – КАИ, Казанский Квантовый центр, Казань.

16.40

O2-27

Поиск оптимальных параметров многомодового оптического делителя из композитного полимера. В. Болдышева, О. Ермишев, Н. Арсланов. Казанский национальный исследовательский технологический университет им. А. Н. Туполева – КАИ, Казанский Квантовый центр, Казань.

17.00

O2-28

Распространение световых потоков в симметричном оптоволокне. В. Егоров¹, Е. Егоров^1,2. 1. Институт проблем технологии и микроэлектроники РАН, Черноголовка. 2. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино.

17.20

O2-29

Распространение поверхностных плазменных колебаний вдоль металлического нанослоя. О.В. Савенко, И.А. Кузнецова. Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль.

16.00

O2-30

Демонстрация сегнетоэлектрического  транзистора FeFET с топологией 1T-1C на основе Hf_0.5Zr_0.5O₂ пленки, интегрированного с 350 нм КМОП-технологией. А.А. Чуприк¹, П.С. Захаров², В.С. Константинов^1,2, И.А. Мутаев, С.В. Илиев, А.А. Щербаков¹. 1. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный. 2. Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва, Зеленоград.

16.20

O2-31

Алгоритмически реализованная многоуровневая запись в конденсаторах на основе сегнетоэлектрического Hf_0.5Zr_0.5O₂: демонстрация принципиальной осуществимости. Н. Сизых, М. Спиридонов, А. Ханас, А. Зенкевич. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный.

16.40

O2-32

Перенесен в постерную сессию II (P2-17).

16.00

q2-16

Система контроля и измерения состояний полупроводниковых кубитов на основе квантовых точек. П. Михайлов^1,2(online), М. Сурков¹, В. Шорохов^1,2, А. Трифонов^1,2. 1. Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва. 2. Российский квантовый центр, Москва.

16.20

q2-17

Применение алгоритма квантового машинного обучения к прикладной задаче моделирования теплового режима сервера. П. Бузин, М. Ремнев. ООО «Облачные технологии», Москва.

16.40

q2-18

Анализ обобщённого уравнения Дирака. В. Турин¹, Д. Киреев¹, И. Назрицкий¹, П. Андреев¹, А. Скрипченко¹, Е. Бурцев¹, А. Турина², И. Щеглов², Ю. Илюшина³. 1. Орловский государственный университет им. И.С. Тургенева, Орел. 2. Школа #51, Орел. 3. Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет), Москва.

17.00

q2-19

Оценка эффективности квантовых информационных процессоров. Л.Е. Федичкин, Д.А. Тарпанов. НИЦ «Курчатовский Институт» – Отделение физико-технологических исследований имени К.А. Валиева, Москва.

17.20

q2-20

Стационарный ток и дробовой шум при транспорте электронов через систему двух квантовых точек. Л. Федичкин¹, Т. Фахрутдинов ². 1. НИЦ «Курчатовский Институт» – Отделение физико-технологических исследований имени К.А. Валиева, Москва. 2. Московский физико-технический инстиут (национальный исследовательский университет), Москва.

9.00

O3-01

СКАНИРУЮЩАЯ ЗОНДОВАЯ МИКРОСКОПИЯ СЕГОДНЯ – ОТ МИКРО И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ ДО МОЛУКЕЛЯРНОЙ БИОЛОГИИ И МЕДИЦИНЫ. В.А. Быков, Т.Г. Матюшин. ООО «КСИЛЛЕКТ», ООО «ТЕХНОСТЕК ХОЛДИНГ», Москва.

9.20

O3-02

Настольный рентгеновский дифрактометр POWDIX для анализа тонких пленок. О. Корнейчик¹, Н.В. Ржеуцкий², Д.М. Кабанов². 1. ООО «Техноинфо», Москва. 2. ЗАО «Адвин Смарт-Фэктори», Минск, Республика Беларусь s.

9.40

O3-03

Исследования полупроводников методом фотолюминесцентной спектроскопии и микроскопии с временным разрешением. Д. Плешков¹, D. Ding², S. Zhao². 1. ООО «Техноинфо», Москва. 2. Zolix Instruments Co. Ltd., Beijing, China.

10.00

O3-04

Применение сканирующей электронной микроскопии для измерения и контроля критических размеров в микроэлектронике. Е.А. Козлов^1,2, О.Ю. Соколова¹, Д.С. Стельмах¹, A.C. Бондаренко³ (online). 1. ООО «Техноинфо», Москва. 2.  Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль. 3. ООО «Научные технологии и сервис», Черноголовка.

10.20

O3-05

Перенесен в сессию 26 “Моделирование плазмы и плазменных микротехнологий II”.

9.00

O3-06

Формирование проводящих филаментов в отожженных мемристорах на основе HfOx полученных плазмостимулиованным и термическим атомно-слоевым осаждением. А. Г. Исаев, И. Ф. Калимова, А. Е. Рогожин. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

9.20

O3-07

Биполярное резистивное переключение с инверсной полярностью и высокой воспроизводимостью в мемристорах на основе HfO₂. О. Пермякова, И. Калимова, А. Мяконьких, А. Рогожин. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

9.40

O3-08

Модель последовательных резистивных переключений мемристорной ячейки филаментарного типа. А. Фадеев (online), К. Руденко. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

10.00

O3-09

Мемристоры на основе аморфного кремния с барьерным слоем из оксида циркония, полученные магнетронным осаждением. Д. Ичёткин^1,2, И. Задириев^2,3, К. Черноглазов², В. Демин², В. Рыльков^2,4. 1. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный. 2. Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», Москва. 3. Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва. 4. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино.

10.20

O3-10

Свойства и функциональные характеристики мемристивных структур на основе оксида циркония, легированного иттрием. А. Ванькаев¹ (online), Е. Клюкина¹, О. Солтанович¹, С. Ковешников¹, И. Антонов², А. Круглов², А. Михайлов², О. Горшков². 1. Институт проблем технологии микроэлектроники, Черноголовка. 2. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород.

9.00

O3-11

СНЯТ.

9.20

O3-12

СНЯТ.

9.40

O3-13

Разработка высокочувствительного сенсора деформации на основе легированных азотом углеродных нанотрубок. М. Ильина (online), О. Соболева, А. Шеляг, О. Ильин. Южный федеральный университет, Таганрог.

10.00

O3-14

СНЯТ.

10.20

O3-15

Разработка метода исследования температурных зависимостей кажущегося ускорения при функционировании и эксплуатации МЭМС-акселерометра. Л. Челышев¹, С. Тимошенков². Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники», Москва.

11.00

O3-16

Параметры плазмы и кинетика активных частиц в смесях SF₆ с аргоном, гелием и кислородом. А. Мяконьких¹, В. Кузьменко¹, A. Ефремов^1,2 (online), К. Руденко¹. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва. 2. НИИ Молекулярной электроники, Зеленоград.

11.20

O3-17

Моделирование плазмохимического травления поликремния в смеси HBr/Cl₂/Ar. Ф. Оксаниченко (online), А. Ефремов. АО «НИИМЭ», Зеленоград.

11.40

O3-18

О влиянии различных кислородсодержащих добавок на состав плазмы CHF₃ и C₄F₈. Е. Корякова¹ (online), A. Ефремов¹, K.-H. Kwon². 1. НИИ Молекулярной электроники, Зеленоград. 2. Korea University, Sejong, Republic of Korea.

12.00

O3-19

О влиянии управляющих параметров плазмохимического травления на пространственную однородность плазмы в реакторе. Ю. Захаров^1,2 (online), А. Ефремов². 1. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный. 2. НИИ Молекулярной электроники, Зеленоград.

12.20

O3-20

Свойства аргона как актинометрического атома. III. Параметры упрощенной глобальной (нульмерной) модели. В.П. Кудря. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

11.00

O3-21

Органические и гибридные мемристоры на основе парилена для носимой нейроморфной электроники. А.В. Емельянов, Б.С. Швецов, А.Д. Трофимов, А.Н. Мацукатова, Г.А. Юкляевских, М.А. Рябова, В.В. Рыльков, В.А. Демин. НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

11.20

O3-22

Резистивное переключение мемристоров на основе нанокомпозита (CoFe)_x(LiNbO₃)_100–x с Ni электродом. С. Николаев¹, Г. Николаев¹, А. Ситников^1,2, А. Емельянов¹, В. Демин¹, В. Рыльков^1,3. 1. НИЦ «Курчатовский институт», Москва. 2. Воронежский государственный технический университет, Воронеж. 3. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино.

11.40

O3-23

Резистивное переключение мемристорных структур на основе стабилизированного диоксида циркония с различными активными электродами. А. Круглов, Д. Серов, А. Белов, И. Антонов, А. Михайлов, Д. Филатов, О. Горшков. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород.

12.00

O3-24

Исследование формирования проводящих филаментов в поликристаллических пленках на основе Hf_0.5Zr_0.5O₂. Н. Жидков, А. Ханас, А. Зенкевич. Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный.

12.20

O3-25

Планарные TiO₂/графен мемристивные наноструктуры для нейроморфной электроники. И. Житяев (online), М. Картель, Ю. Житяева, В. Смирнов. Южный федеральный университет, Таганрог.

11.00

O3-26

Микромеханический радиочастотный переключатель с контактом металлметалл. И.В. Уваров^1,2, И.А. Белозеров^1,2, М.О. Морозов^1,2. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль. 2. Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль.

11.20

O3-27

Перестраиваемый РЧ МЭМС-переключатель для систем беспроводной связи. М.О. Морозов^1,2, И.В. Уваров¹. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль. 2. Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль.

11.40

O3-28

Расчет температуры контактов МЭМС-переключателя методом конечных элементов. И.А. Белозеров, И.В. Уваров. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль.

12.00

O3-29

СНЯТ.

12.20

O3-30

Проектирование СВЧ фазовращателя на основе микроэлектромеханического варактора для систем связи нового поколения. А.М. Белевцев, И.К. Епанешникова, В.Л. Крючков, И.О. Дрягин. МАИ, Москва.

9.00

O4-01

Физические основы управления in situ профилем при плазменном криотравлении высокоаспектных кремниевых микрострукту. К. Руденко, А. Мяконьких, В.Кузьменко, К. Фетисенкова, А. Мельников. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

9.20

O4-02

Сравнительные характеристики микроэлектронных технологий глубокого травления для применений в области рентгеновской оптики. М. Сороковиков¹ (online), Д.А. Зверев¹, И.И. Лятун¹, А.А. Баранников¹, М.А. Воеводина¹, В.А. Юнкин², А.В. Мяконьких³, К.В Руденко³, А.А. Снигирев¹. 1. Балтийский Федеральный Университет им. И. Канта, Калининград. 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

9.40

O4-03

Моделирование ленгмюровского слоя пространственного заряда в индуктивно связанной плазме в процессах микро- и наноэлектроники. Р. Халилуллин, В. Кузьменко, А. Мяконьких. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

10.00

O4-04

Однородность процессов травления и распыления по пластине в ИСП установке плазмохимического травления. В. Кузьменко, Р. Халилуллин, А. Мяконьких, К. Руденко. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

10.20

O3-05

Плазменные технологии в микро- и наноэлектронике: текущее состояние и перспективы. К. Куваев, А. Крынин. ООО «Техноинфо», Москва.

9.00

O4-05

Математическое моделирование транспорта заряда в диэлектрическом слое мемристора на основе HfO_x с учётом однократно заряженных ловушек. Д. Исламов^1,2, Т. Залялов¹, В. Воронковский¹, А. Маркелова¹, А. Пильник³, М. Давыдов^2,4, А. Чернов^1,2,3. 1. Институт физики полупроводников, Новосибирск. 2. Новосибирский государственный университет, Новосибирск. 3. Институт теплофизики, Новосибирс. 4. Институт гидродинамики, Новосибирск.

9.20

O4-06

Транспорт заряда и природа ловушек в мемристорах на основе SiO_x, полученных обработкой в водородной ЭЦР-плазме. Д. Исламов^1,2, Р. Исхакзай¹, В. Воронковский¹, Т. Перевалов¹, В. Алиев^1,2, В. Гриценко^1,2. 1. Институт физики полупроводников, Новосибирск. 2. Новосибирский государственный университет, Новосибирск.

9.40

O4-07

Транспорт заряда в МДП-структурах ITO/[GeO_x]_(z)[SiO₂]_(1 — z)/Si. И. Юшков^1,2, А. Гисматулин¹, Г. Камаев¹, М. Вернья ³, В. Володин^1,2. 1. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, 2. Новосибирский государственный университет, Новосибирск, 3. Université de Lorraine, Nancy, France.

10.00

O4-08

Гибридная мемристорно-КМОП система: схемотехнические решения для управления и обработки данных. А.А. Токарев¹ (online), И.А. Хорин². 1. МИРЭА — Российском технологическом университете (РТУ МИРЭА), Москва. 2. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

10.20

O4-09

ППространственная фильтрация шумов изображений на базе аппарата пятен. Н.А. Симонов. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

9.00

O4-10

МЭМС как научный инструмент: Точное измерение энергии адгезии с помощью залипшего кантилевера. А.В. Постников¹, И. И.Уваров¹, П.С. Шлепаков¹, В.Б. Световой². 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль. 2. Инститyт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук, Москва.

9.20

O4-11

Исследование резонансных свойств многослойной мембранной микроэлектромеханической структуры. С. Петрова¹ (online), Е. Гусев¹, L. Jiang², В. Климин³, В. Поляков¹, S. Wang², L. Han^2,4, Z. Wei⁴, О. Агеев^1,5. 1. Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Южный федеральный университет, Таганрог. 2. Shandong Key Laboratory of Optoelectronic Sensing Technologies, Laser Institute of Shandong Academy of Sciences, Jinan, China. 3. Институт радиотехнических систем и управления, Южный федеральный университет, Таганрог. 4. International School for Optoelectronic Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China. 5. Научно-образовательный цент “Нанотехнологии”, Южный федеральный университет, Таганрог.

9.40

O4-12

Повышение быстродействия микроактюатора на основе взрыва водород-кислородной смеси. П.С. Шлепаков¹, В.Б. Световой², И.В. Уваров¹. 1. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль. 2. Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва.

10.00

O4-13

Пассивный микрофлюидный клапан с пониженным пороговым давлением. П.С. Шлепаков, О.В. Морозов, И.В. Уваров. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль.

11.00

O4-14

Получение микроструктурированного «черного кремния» методами плазменного травления и исследование его свойств. А.В. Мяконьких, В.О. Кузьменко, Е.А. Смирнова. ОФТИ им. К.А. Валиева, НИЦ «Курчатовский институт», Москва.

11.20

O4-15

Формирование структур на поверхности SiC методом плазмохимического травления. В. Климин¹ (online), П. Тарасов^1,2, М. Григорьев^1,2, П. Гавриш^1,2, А. Ткачева^1,2, В. Пташник^,2, О. Агеев^1,3. 1. Южный федеральный университет, Таганрог. 2. АО «ТНИИС» , Таганрог. 3. Научно-образовательный центр «Нанотехнологии», Южный федеральный университет, Таганрог.

11.40

O4-16

СНЯТ.

12.00

O4-17

СНЯТ.

11.00

O4-18