Конференции

Общая информация

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника – 2018» (ICMNE-2018), включающая расширенную сессию «Квантовая информатика» (QI-2018), будет проводиться 1-5 октября 2018 в парк-отеле «Ершово», Звенигород, Московская область, Россия. Она продолжает серию Всероссийских конференций «МНЕ-1999», «МНЕ-2001», «КИ-2002» и международных конференций «ICMNE-2003», «QI-2004», «ICMNE-2005», «QI-2005», «ICMNE-2007», «QI-2007», «ICMNE-2009», «QI-2009», «ICMNE-2012», «QI-2012», «ICMNE-2014», «QI-2014», «ICMNE-2016» и «QI-2016».

   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей микро- и наноэлектронных технологий, а также физики микро- и наноразмерных приборов. ICMNE-2018 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений.

   В 2018 году в рамках конференции будет организован российско-японский круглый стол с участием ведущих ученых.

Тематика:

Физика микро- и наноразмерных приборов:

• Проблемы и пути масштабирования наноразмерных приборов и интегральных схем.
• Нанотранзисторы: CMOS FET, TFET, SET, молекулярные транзисторы и переключатели и т.д.
• Интегральные устройства памяти: DRAM, ReRAM, FeRAM.
• Приборы с 1D и 2D каналами.
• Углеродная микро- и наноэлектроника.
• Твердотельные приборы для THz генерации и детектирования.
• Магнитные микро- и наноструктуры и приборы, спинтроника.
• Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства.
• Приборы оптоэлектроники, фотоники.
• Сенсоры, микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS, BioMEMS).
• Моделирование приборов.

Технология и характеризация материалов для микро- и наноэлектроники:

• Si, SOI, SiGe, A³B⁵, A²B⁶.
• High-k, low-k диэлектрики.
• Металлические пленки в приборных структурах УБИС.
• 1D, 2D материалы.
• Магнитные материалы, наномагнетики.
• Материалы оптоэлектроники, фотовольтаики, метаматериалы.

Технологические процессы и перспективное технологическое оборудование микро- и наноэлектроники:

• Литография: иммерсионная, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт.
• Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
• Back-End of Line (BEOL) процессы для технологии УБИС.
• Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
• Технологии 3D-интеграции интегральных схем.
• Технология 2D материалов и структур для наноэлектроники (графен, MoS₂, WS₂ и др.
• Технологии 1D структур (нанопровода, нанотрубки).
• Технологии MEMS, NEMS, BioMEMS.
• Технологии изготовления сверхпроводящих приборов.

Метрология:

• Методы диагностики и управления технологическими процессами In situ (End-point детекторы, смарт-сенсоры).
• Методы контроля, диагностики и характеризации микро- и наноструктур.

Квантовая информатика:

• Квантовые компьютеры: теория и эксперимент.
• Квантовые измерения.
• Квантовые алгоритмы.
• Квантовая связь.

Организаторы и спонсоры:

• Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия
• АО «НИИМЭ», Зеленоград, Россия
• Российский фонд фундаментальных исследований, Москва, Россия
• Oтделение нанотехнологий и информационных технологий РАН
• SPIE – The International Society for Optical Engineering
• Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
• Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
• Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
• TechnoInfo Ltd., Wembley, UK
• Компания НИКС, Москва, Россия

Язык:

Рабочий язык конференции – английский.

Тезисы докладов:

   Оргкомитет ICMNE-2018 приветствует доклады, присланные от академического сообщества, университетов, отраслевой науки. Программный комитет будет оказывать предпочтение докладам, содержащим результаты последних оригинальных исследований, соответствующих тематике конференции. Тезисы докладов должны быть написаны ясным и лаконичным английским языком.

 

   Программа конференции будет включать как приглашенные доклады, так и принятые по результатам рецензирования Программным комитетом ICMNE-2018. Рейтинговое рецензирование будет проводиться на основе присланных тезисов докладов с учетом их соответствия тематике конференции и научному качеству представленных результатов. Окончательное решение о форме представления доклада (устной или в виде постера) принимается Программным и Организационным комитетами; пожелания авторов учитываются.

   Вы можете скачать шаблон одностраничных тезисов в разделе Скачать сайта конференции. Файлы с тезисами принимаются Локальным оргкомитетом ICMNE-2018 по электронной почте icmne2018@gmail.com.

   Теперь вы можете скачать Сборник тезисов.

Труды конференции:

   SPIE Digital Library публикует полные тексты докладов в отдельном томе Proceedings of SPIE, представляющем конференцию ICMNE-2018, после окончания конференции.

   Авторам необходимо подготовить рукописи полных текстов в размере научной статьи, оформленные в соответствии с правилами для Proceedings of SPIE (указаны в разделе Скачать), и направить их в издательство, используя Author Submission & Chair Review System. Тексты для публикации в SPIE должны быть написаны явным и лаконичным английским языком. Допустимый размер статьи составляет 6-12 страниц.

   Последний срок отправки рукописей полных текстов докладов в SPIE – 12 ноября 2018. Необходимо также отправить копии полнотекстовых докладов и заполненные формы SPIE о передаче авторских прав в Локальный оргкомитет ICMNE-2018. Без этого публикация в SPIE будет отклонена.

   Поскольку издание Proceedings of SPIE является рецензируемым, доклады, не представленные и не обсужденные на конференции, публиковаться в нем не будут.

Доступна программа конференции (pdf)

Информация для докладчиков

Общая информация

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника – 2016» (ICMNE-2016), включающая расширенную сессию «Квантовая информатика» (QI-2016), будет проводиться 3-7 октября 2016 в д/о «Ершово», Звенигород, Московская область, Россия. Она продолжает серию Всероссийских конференций «МНЕ-1999», «МНЕ-2001», «КИ-2002» и международных конференций «ICMNE-2003», «QI-2004», «ICMNE-2005», «QI-2005», «ICMNE-2007», «QI-2007», «ICMNE-2009», «QI-2009», «ICMNE-2012», «QI-2012», «ICMNE-2014» и «QI-2014».

   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей физики микро- и наноразмерных приборов, а также микро- и наноэлектронных технологий. ICMNE-2016 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений.

Тематика:

Материалы и пленки для микро- и наноэлектронных структур:

• Si, SOI, DOI, SiGe, A³B⁵, A²B⁶
• High-k диэлектрики, low-k диэлектрики
• Металлы для затворов, контактов и систем металлизации наноразмерных приборов
• Магнитные материалы, наномагнетики
• 1D и 2D материалы
• Материалы для оптоэлектроники, солнечной энергетики, метаматериалы

Физика микро- и наноразмерных приборов:

• Тенденции масштабирования: More Moore, beyond CMOS, and more than Moore trends
• Нанотранзисторы: CMOS FET, TFET, SET, молекулярные и другие
• Интегральные устройства памяти, DRAM, ReRAM, FeRAM
• Магнитные микро- и наноструктуры, приборы спинтроники
• Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства
• Приборы оптоэлектроники, фотоники
• Микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS)
• Моделирование

Технологии и перспективное технологическое оборудование для производства приборов микро- и наноэлектроники:

• Суб-65 нм литография: DUV, иммерсионная, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт
• Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС
• Back-End of Line (BEOL) процессы для технологии УБИС
• Технологии получения 2D материалов (графен, MoS₂, WS₂ и другие)
• Технологии создания МЭМС и НЭМС
• Технологии создания сверхпроводящих приборов

Метрология:

• In situ методы мониторинга технологических процессов
• Методы контроля, диагностики и характеризации микро- и наноструктур

Квантовая информатика:

• Квантовые компьютеры: теория и эксперимент
• Квантовые измерения
• Квантовые алгоритмы
• Квантовая связь

Организаторы и спонсоры:

• Физико-технологический институт, Москва, Россия
• АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», Зеленоград, Россия
• Российский фонд фундаментальных исследований, Москва, Россия
• Российская академия наук, Oтделение нанотехнологий и информационных технологий
• Научный Совет РАН по физическим и химическим основам полупроводникового материаловедения
• SPIE – The International Society for Optical Engineering, USA — the publisher of the Conference proceedings
• Институт физики полупроводников, Новосибирск, Россия
• Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
• Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
• TechnoInfo Ltd., Wembley, UK
• Компания НИКС, Москва, Россия
• ЗАО «НТО» (SemiTEq), Санкт-Петербург, Россия

Язык:

Рабочий язык конференции – английский.

Тезисы докладов:

   Оргкомитет ICMNE-2016 приветствует доклады, присланные от академического сообщества, университетов, отраслевой науки. Программный комитет будет оказывать предпочтение докладам, содержащим результаты последних оригинальных исследований, соответствующих тематике конференции. Тезисы докладов должны быть написаны ясным и лаконичным английским языком.

 

   Программа конференции будет включать как приглашенные доклады, так и принятые по результатам рецензирования Программным комитетом ICMNE-2016. Рейтинговое рецензирование будет проводиться на основе присланных тезисов докладов с учетом их соответствия тематике конференции и научному качеству представленных результатов. Окончательное решение о форме представления доклада (устной или в виде постера) принимается Программным и Организационным комитетами; пожелания авторов учитываются.

   Вы можете скачать шаблон одностраничных тезисов в разделе Скачать сайта конференции. Файлы с тезисами принимаются Локальным оргкомитетом ICMNE-2016 по электронной почте icmne2016@gmail.com.

Последний срок отправки тезисов — 1 августа 2016.

   Принимая во внимание пожелания потенциальных участников Конференции, Оргкомитет принял решение продлить прием тезисов до 10 августа 2016 года.

Труды конференции:

   SPIE Digital Library публикует полные тексты докладов в отдельном томе Proceedings of SPIE, представляющем конференцию ICMNE-2016, после окончания конференции.

   Авторам необходимо подготовить рукописи полных текстов в размере научной статьи, оформленные в соответствии с правилами для Proceedings of SPIE (указаны в разделе Скачать), и направить их в издательство, используя Author Submission & Chair Review System. Тексты для публикации в SPIE должны быть написаны ясным и лаконичным английским языком. Допустимый размер статьи составляет 4-12 страниц.

   Последний срок отправки рукописей полных текстов докладов в SPIE – 8 ноября 2016. Необходимо также отправить копии полнотекстовых докладов и заполненные формы SPIE о передаче авторских прав в Локальный оргкомитет ICMNE-2016. Без этого публикация в SPIE будет отклонена.

   Поскольку издание Proceedings of SPIE является рецензируемым, доклады, не представленные и не обсужденные на конференции, публиковаться в нем не будут.

   Теперь вы можете скачать Сборник тезисов.

Информация для докладчиков

   Устные доклады

   Для представления устных докладов будет предоставлено оборудование для компьютерных презентаций (мультимедийный проектор, компьютер; презентация должна быть выполнена в Microsoft PowerPoint). Во избежание проблем с несовместимостью различных версий предпочтительно использовать презентацию в формате PDF.
   Оргкомитет напоминает, что официальный язык конференции – английский, что является необходимым условием проведения конференций SPIE и дальнейшей публикации материалов в трудах SPIE. Не только иллюстративный материал, но и сам доклад должен быть представлен на английском языке. При недостаточном владении разговорным английским рекомендуется пользоваться заранее приготовленным текстом. Помощь в переводе вопросов со стороны ведущего секции будет обеспечена.

   Постеры

   Размер стенда для стендового доклада: 120 см х 120 см. Для закрепления листов на стенде будут предоставлены удобные кнопки. Язык представления постеров – английский.

Доступна программа конференции (pdf)

Информация для докладчиков

Общая информация

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника – 2014» (ICMNE-2014), включающая расширенную сессию «Квантовая информатика» (QI-2014), будет проводиться 6-10 октября 2014 в д/о «Ершово», Звенигород, Московская область, Россия. Она продолжает серию Всероссийских конференций «МНЕ-1999», «МНЕ-2001», «КИ-2002» и международных конференций «ICMNE-2003», «QI-2004», «ICMNE-2005», «QI-2005», «ICMNE-2007», «QI-2007», «ICMNE-2009», «QI-2009», «ICMNE-2012», «QI-2012».

   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей микро- и наноэлектронных технологий, а также физики микро- и наноразмерных приборов. ICMNE-2014 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений.

Тематика:

Материалы и пленки для микро- и наноэлектроники:

• КНИ, Si, SiGe, A³B⁵, A²B⁶
• Тонкие пленки, high-k диэлектрики, low-k диэлектрики
• Материалы для металлических затворов, контактов и систем металлизации микро- и наноразмерных приборов
• Магнитные материалы, наномагнетики
• Нанотрубки, графен
• Материалы для оптоэлектроники, солнечной энергетики, метаматериалы

Технологии микро- и наноэлектроники, технологическое оборудование:

• Суб-100 нм литография: DUV, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт
• Плазменные и ионно-пучковые процессы и технологии для микро- и наноэлектроники
• Ионная имплантация: пучковая и плазменно-иммерсионная
• Процессы CVD, молекулярная эпитаксия

Метрология:

• Методы мониторинга технологических процессов, определение момента окончания процессов
• Методы диагностики и характеризация микро- и наноструктур

Физика и технология микро- и наноразмерных приборов:

• Нанотранзисторы: МДП, одноэлектронные, тонкопленочные и другие
• Интегральные устройства памяти, мемристоры
• Магнитные микро- и наноструктуры
• Приборы спинтроники
• Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства
• Приборы оптоэлектроники, фотоники
• Микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS)

Моделирование:

• Моделирование технологических процессов
• Моделирование микро- и наноэлектронных приборов

КНИ и низкоразмерные структуры:

• Технология и эксперименты
• Приборы
• Теория и моделирование

Квантовая информатика:

• Квантовые компьютеры: теория и эксперимент
• Квантовые измерения
• Квантовые алгоритмы
• Квантовая связь

Организаторы и спонсоры:

• Физико-технологический институт (ФТИАН), Москва, Россия
• ОАО «НИИМЭ и Микрон», Зеленоград, Россия
• Российский фонд фундаментальных исследований, Москва, Россия
• Федеральное агенство научных организаций, Москва, Россия
• Российская академия наук, Oтделение нанотехнологий и информационных технологий
• Научный Совет РАН по физическим и химическим основам полупроводникового материаловедения
• SPIE – The International Society for Optical Engineering
• Институт физики полупроводников, Новосибирск, Россия
• Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
• Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
• TechnoInfo Ltd., Wembley, UK
• Компания НИКС, Москва, Россия

Язык:

Рабочий язык конференции – английский.

Тезисы докладов:

   Вы можете скачать шаблон одностраничных тезисов в разделе Скачать сайта конференции. Файлы с тезисами принимаются Локальным оргкомитетом ICMNE-2014 по электронной почте icmne2014@gmail.com.

Последний срок отправки тезисов — 1 августа 2014.

   Принимая во внимание пожелания потенциальных участников Конференции, Оргкомитет принял решение продлить прием тезисов до 15 августа 2014 года.

   Теперь вы можете скачать Сборник тезисов.

Труды конференции:

   SPIE Digital Library публикует полные тексты докладов в отдельном томе Proceedings of SPIE, представляющем конференцию ICMNE-2014, после окончания конференции.

   Авторам необходимо подготовить рукописи полных текстов в размере научной статьи, оформленные в соответствии с правилами для Proceedings of SPIE (указаны в разделе Скачать), и направить их в издательство, используя Author Submission & Chair Review System.

   Последний срок отправки рукописей полных текстов докладов в SPIE – 10 ноября 2014. Необходимо также отправить копии полнотекстовых докладов и заполненные формы SPIE о передаче авторских прав в Локальный оргкомитет ICMNE-2014. Без этого публикация в SPIE будет отклонена.

   Поскольку издание Proceedings of SPIE является рецензируемым, доклады, не представленные и не обсужденные на конференции, публиковаться в нем не будут.

   Оргкомитет ICMNE-2014 приветствует доклады, присланные от академического сообщества, университетов, промышленности. Программный комитет будет оказывать предпочтение докладам, содержащим результаты последних оригинальных исследований, соответствующих тематике конференции. Тезисы докладов и полные тексты для публикации в SPIE должны быть написаны ясным и лаконичным английским языком.

   Программа конференции будет включать как приглашенные доклады, так и принятые по результатам рецензирования Программным комитетом ICMNE-2014. Рейтинговое рецензирование будет проводиться на основе присланных тезисов докладов с учетом их соответствия тематике конференции и научному качеству представленных результатов. Окончательное решение о форме представления доклада (устной или в виде постера) принимается Программным и Организационным комитетами, пожелания авторов учитываются.

Информация для докладчиков

   Устные доклады

   Для представления устных докладов будет предоставлен стандартный проектор (для «прозрачек») и оборудование для компьютерных презентаций (мультимедийный проектор, компьютер; презентация должна быть выполнена в Microsoft PowerPoint). Во избежание проблем с несовместимостью различных версий предпочтительно использовать презентацию в формате PDF.
   Оргкомитет напоминает, что официальный язык конференции – английский, что является необходимым условием проведения конференций SPIE и дальнейшей публикации материалов в трудах SPIE.
   Не только иллюстративный материал, но и сам доклад должен быть произнесен на английском. При недостаточном владении разговорным английским рекомендуется пользоваться заранее приготовленным текстом. Помощь в переводе вопросов со стороны ведущего секции будет обеспечена.

   Постеры

   Размер стенда для стендового доклада: 120 см х 120 см. Язык представленных постеров – английский.

   Публикация полных текстов докладов

   Полные тексты докладов, представленных и обсужденных на ICMNE-2014, будут опубликованы в регулярном рецензируемом издании Proceedings of SPIE, размер статьи от 6 стр. (не менее) до 15 стр., включая рисунки. Авторы, желающие опубликовать доклады, должны представить в Оргкомитет манускрипты, оформленные в соответствии с требованиями шаблона SPIE, представленного в разделе Скачать, а также заполненный бланк передачи авторских прав не позднее, чем через 1 месяц после проведения конференции.
   Так как с 2007 года Proceedings of SPIE являются электронной публикацией, файлы предоставляются в формате PDF без бумажной копии. Манускрипты не редактируются Оргкомитетом конференции, за качество английского текста отвечают исключительно авторы. Этот пункт может явиться критическим при принятии статьи к публикации издательством.

Доступен предварительный список докладчиков

Информация для докладчиков

Общая информация

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника – 2012» (ICMNE-2012), включающая расширенную сессию «Квантовая информатика» (QI-2012) и семинар «Кремний на изоляторе» (SOI-2012), будет проводиться 1-5 октября 2012 в пансионате «Липки», Звенигород, Московская область, Россия. Она продолжает серию Всероссийских конференций «МНЕ-1999», «МНЕ-2001», «КИ-2002» и международных конференций «ICMNE-2003», «QI-2004», «ICMNE-2005», «QI-2005», «ICMNE-2007», «QI-2007», «ICMNE-2009», «QI-2009».

   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей микро- и наноэлектронных технологий, а также физики микро- и наноразмерных приборов. ICMNE-2012 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений.

Тематика:

Материалы и пленки для микро- и наноэлектроники:

• КНИ, Si, SiGe, A³B⁵, A²B⁶
• Тонкие пленки, high-k диэлектрики, low-k диэлектрики
• Материалы для металлических затворов, контактов и систем металлизации микро- и наноразмерных приборов
• Магнитные материалы, наномагнетики
• Нанотрубки, графен
• Материалы для оптоэлектроники, солнечной энергетики, метаматериалы

Технологии микро- и наноэлектроники, технологическое оборудование:

• Суб-100 нм литография: DUV, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт
• Плазменные и ионно-пучковые процессы и технологии для микро- и наноэлектроники
• Ионная имплантация: пучковая и плазменно-иммерсионная
• Процессы CVD, молекулярная эпитаксия

Метрология:

• Методы мониторинга технологических процессов, определение момента окончания процессов
• Методы диагностики и характеризация микро- и наноструктур

Физика и технология микро- и наноразмерных приборов:

• Нанотранзисторы: МДП, одноэлектронные, тонкопленочные и другие
• Интегральные устройства памяти, мемристоры
• Магнитные микро- и наноструктуры
• Приборы спинтроники
• Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства
• Приборы оптоэлектроники, фотоники
• Микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS)

Моделирование:

• Моделирование технологических процессов
• Моделирование микро- и наноэлектронных приборов

КНИ и низкоразмерные структуры:

• Технология и эксперименты
• Приборы
• Теория и моделирование

Квантовая информатика:

• Квантовые компьютеры: теория и эксперимент
• Квантовые измерения
• Квантовые алгоритмы
• Квантовая связь

Организаторы и спонсоры:

• Российская академия наук (РАН), Oтделение нанотехнологий и информационных технологий
• Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ)
• Научный Совет РАН по физическим и химическим основам полупроводникового материаловедения
• Физико-технологический институт РАН (ФТИАН), Москва, Россия
• Учебно-научный центр «МГУ – ФТИАН», Москва, Россия
• SPIE – The International Society for Optical Engineering
• Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН, Новосибирск, Россия
• Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (МГУ), Москва, Россия
• Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова (ЯрГУ), Ярославль, Россия
• TechnoInfo Ltd., Wembley, UK
• Компания НИКС, Москва, Россия

Язык:

Рабочий язык конференции – английский.

Тезисы докладов:

   Вы можете скачать шаблон одностраничных тезисов в разделе Скачать сайта конференции. Файлы с тезисами принимаются Локальным оргкомитетом ICMNE-2012 по электронной почте icmne2012@ftian.ru. Последний срок отправки тезисов — 30 июня 2012.

   Принимая во внимание пожелания потенциальных участников Конференции, Оргкомитет принял решение продлить прием тезисов до 31 июля 2012 года.

   Теперь вы можете скачать Сборник тезисов.

Труды конференции:

   SPIE Digital Library публикует полные тексты докладов в отдельном томе Proceedings of SPIE, представляющем конференцию ICMNE-2012, после окончания конференции.

   Авторам необходимо подготовить рукописи полных текстов в размере научной статьи, оформленные в соответствии с правилами для Proceedings of SPIE (указаны в разделе Скачать), и направить их в издательство, используя Author Submission & Chair Review System.

   Последний срок отправки рукописей полных текстов докладов в SPIE – 5 ноября 2012. Необходимо также отправить копии полнотекстовых докладов и заполненные формы SPIE о передаче авторских прав в Локальный оргкомитет ICMNE-2012. Без этого публикация в SPIE будет отклонена.

   Поскольку издание Proceedings of SPIE является рецензируемым, доклады, не представленные и не обсужденные на конференции, публиковаться в нем не будут.

   Оргкомитет ICMNE-2012 приветствует доклады, присланные от академического сообщества, университетов, промышленности. Программный комитет будет оказывать предпочтение докладам, содержащим результаты последних оригинальных исследований, соответствующих тематике конференции. Тезисы докладов и полные тексты для публикации в SPIE должны быть написаны ясным и лаконичным английским языком.

   Программа конференции будет включать как приглашенные доклады, так и принятые по результатам рецензирования Программным комитетом ICMNE-2012. Рейтинговое рецензирование будет проводиться на основе присланных тезисов докладов с учетом их соответствия тематике конференции и научному качеству представленных результатов. Окончательное решение о форме представления доклада (устной или в виде постера) принимается Программным и Организационным комитетами, пожелания авторов учитываются.

Информация для докладчиков

   Устные доклады

   Для представления устных докладов будет предоставлен стандартный проектор (для «прозрачек») и оборудование для компьютерных презентаций (мультимедийный проектор, компьютер; презентация должна быть выполнена в Microsoft PowerPoint). Во избежание проблем с несовместимостью различных версий предпочтительно использовать презентацию в формате PDF.
   Оргкомитет напоминает, что официальный язык конференции – английский, что является необходимым условием проведения конференций SPIE и дальнейшей публикации материалов в трудах SPIE.
   Не только иллюстративный материал, но и сам доклад должен быть произнесен на английском. При недостаточном владении разговорным английским рекомендуется пользоваться заранее приготовленным текстом. Помощь в переводе вопросов со стороны ведущего секции будет обеспечена.

   Постеры

   Размер стенда для стендового доклада: 120 см х 120 см. Язык представленных постеров – английский.

   Публикация полных текстов докладов

   Полные тексты докладов, представленных и обсужденных на ICMNE-2012, будут опубликованы в регулярном рецензируемом издании Proceedings of SPIE, размер статьи от 8 стр. (не менее) до 12 стр., включая рисунки. Авторы, желающие опубликовать доклады, должны представить в Оргкомитет манускрипты, оформленные в соответствии с требованиями шаблона SPIE, представленного в разделе Скачать, а также заполненный бланк передачи авторских прав не позднее, чем через 1 месяц после проведения конференции.
   Так как с 2007 года Proceedings of SPIE являются электронной публикацией, файлы предоставляются в формате PDF без бумажной копии. Манускрипты не редактируются Оргкомитетом конференции, за качество английского текста отвечают исключительно авторы. Этот пункт может явиться критическим при принятии статьи к публикации издательством.

Научная программа и список докладчиков

Информация для докладчиков

Общая информация

Международная конференция“Микро- и наноэлектроника – 2009” (ICMNE-2009) включающая расширенные сессии “Квантовая информатика” (QI-2009) будет проводиться 5-9 октября, 2009 в пансионате “Липки”, Звенигород, Московская область, Россия. Она продолжает серию Всероссийских конференций “МНЕ-1999”, “МНЕ-2001”, «КИ-2002» и международных конференций “ICMNE-2003”, «QI-2004», “ICMNE-2005”, «QI-2005». “ICMNE-2007”, «QI-2007».

   Конференция ICMNE проводится раз в два года и охватывает большинство областей микро- и наноэлектронных технологий, физики, применений интегральных приборов и интегральных схем. ICMNE-2009 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений.

Тематика:

Материалы, пленки для микро- и наноэлектроники:

• КНИ, напряженный Si, SiGe, GaAs, GaN
• Тонкие пленки, high-k диэлектрики, low-k диэлектрики
• Материалы для металлических затворов, контактов и систем металлизации микро- и наноразмерных приборов
• Магнитные материалы. Наномагнетики
• Нанотрубки
• Материалы для оптоэлектроники, солнечной энергетики, метаматериалы

Технологии микро- и наноэлектроники, технологическое оборудование:

• Суб-100 нм литография: DUV, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт
• Плазменные процессы и технологии для микро- и наноэлектроники
• Ионная имплантация: пучковая и плазменно-иммерсионная
• Процессы CVD, молекулярная эпитаксия

Метрология:

• Методы мониторинга технологических процессов, определение момента окончания процессов
• Методы диагностики и характеризация микро- и наноструктур

Физика и технология микро- и наноразмерных приборов:

• Нанотранзисторы: МДП, одноэлектронные. Память на квантовых точках. Интегральная схемотехника
• Магнитные микро- и наноструктуры
• Спинтроника
• Сверхпроводящие микро-, наноприборы и системы
• Молекулярная электроника
• Приборы оптоэлеткроники, фотоники
• Микро- и нано- электромеханические системы (MEMS, NEMS)

Моделирование:

• Моделирование технологических процессов
• Моделирование микро- и наноэлектронных приборов, устройств
• Моделирование ИС

Квантовая информатика:

• Quantum computer and complex quantum systems modeling (quantum computer problems, computer simulation of quantum systems, decoherence, entanglement)
• Quantum information processing (quantum information, applications of quantum methods)

• Quantum cryptography (quantum channels, nonlocality, security, error correction)

Организаторы и спонсоры:

• Российская Академия Наук (РАН), Oтделение нанотехнологий и информационных технологий
• Министерство образования и науки Российской Федерации
• Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ)
• Научный Совет РАН “Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем”
• Научный Совет РАН по физическим и химическим основам полупроводникового материаловедения
• Физико-технологический институт РАН (ФТИАН), Москва, Россия
• Учебно-научный центр «МГУ – ФТИАН»
• SPIE – The International Society for Optical Engineering
• Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН, Новосибирск, Россия
• Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (МГУ), Россия
• Ярославский Государственный Университет им. П.Г.Демидова (ЯрГУ), Россия
• Московский институт электронной техники (МИЭТ, ТУ), Зеленоград, Россия
• OAO “НИИМЭ и Микрон”, Россия
• INTEL, Inc., USA
• Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (FhG IIS-B), Germany
• Carl Zeiss AG, Germany
• TechnoInfo Ltd, UK
• Компания НТ-МДТ, Россия
• Компания НИКС , Россия

Язык:

Официальный язык конференции – Английский

Тезисы докладов:

   Вы можете скачать шаблон одностраничных тезисов и требования для публикации полных текстов докладов в разделе скачать сайта конференции. Файлы с тезисами принимаются Локальным Оргкомитетом ICMNE-2009 по электронной почте icmne2009@ftian.ru. Последний срок отправки тезисов – 10 августа , 2009.
   Файлы тезисов докладов направлять по адресу icmne2009@ftian.ru

Труды конференции:

   SPIE (http://www.spie.org) будет публиковать полные тексты докладов в отдельном томе Proceedings of SPIE, представляющем конференцию ICMNE-2009, после окончания конференции.

   Авторам необходимо подготовить рукописи полных текстов в размере научной статьи, оформленные в соответствии с правилами для Proceedings of SPIE (указаны в секции Скачать), и направить их в издательство, используя сервис MySPIE (линк http://myspie.org/submission/index.cfm?fuseaction=act_AbstractInit&EventId=898506). Уважаемые авторы: на вебстранице отправки рукописей полных текстов, игнорируйте текст ‘SUBMIT AN ABSTRACT OVERVIEW.’ Это на самом деле правильная страница для отправки полнотекстовых статей.

   Последний срок отправки рукописей полных текстов докладов в SPIE – 9 ноября 2009. Необходимо также отправить копии полнотекстовых докладов и заполненные формы SPIE передачи авторских прав в Локальный Оргкомитет ICMNE-2009.

   Поскольку издание “Proceedings of SPIE” является рецензируемым, доклады, не представленные и не обсужденные на конференции, публиковаться в нем не будут.
Оргкомитет ICMNE-2009 приветствует доклады, присланные от академического сообщества, университетов, промышленности. Около 80 докладов будут отобраны для устной презентации, остальные будут представлены в виде постеров. Программный комитет будет оказывать предпочтение докладам, содержащим результаты последних оригинальных исследований, соответствующих тематике конференции. Тезисы доклада и полные тексты для публикации в SPIE должны быть написаны ясным и лаконичным английским языком.

   Программа конференции будет включать как приглашенные доклады, так и принятые по результатам рецензирования Программным комитетом ICMNE-2009. Рейтинговое рецензирование будет проводиться на основе присланных тезисов докладов, с учетом их соответствия тематике конференции и научному качеству представленных результатов. Окончательное решение о форме представления доклада (устной или в виде постера) принимается Программным и Оргкомитетом, пожелания авторов учитываются.

Информация для докладчиков

Устные доклады

   Устные доклады могут быть сделаны с применением либо техники презентаций (ноутбук и мультимедийный проектор), либо с использованием прозрачек. Электронные версии докладов должны быть записаны на CD, либо USB flash. Рекомендуемый формат презентации – файлы Power Point (*.PPT) или Adobe Acrobat (*.PDF).
   Оргкомитет напоминает, что официальный язык конференции – английский, что является необходимым условием проведения конференций SPIE и дальнейшей публикации материалов в трудах SPIE.
   Не только иллюстративный материал, но и сам доклад должен быть произнесен на английском. При недостаточном владении разговорным английским рекомендуется пользоваться заранее приготовленным текстом. Помощь в переводе вопросов со стороны ведущего секции будет обеспечена.

   Постеры

   Размеры постеров должны умещаться в 120х120 см. Язык представленных постеров – английский.

   Публикация полных текстов докладов

   Полные тексты докладов, представленных и обсужденных на ICMNE-2007, будут опубликованы в регулярном рецензируемом издании Proceedings of SPIE, размер статьи от 8 стр. (не менее) до 12 стр., включая рисунки. Авторы, желающие опубликовать доклады, должны представить в Оргкомитет манускрипты, оформленные в соответствии с требованиями шаблона SPIE, представленного в разделе «Файлы», а также заполненный бланк передачи авторских прав не позднее, чем через 1 месяц после проведения конференции.
   Так как с 2007 года Proceedings of SPIE являются электронной публикацией, файлы предоставляются в формате PDF без бумажной копии. Манускрипты не редактируются Оргкомитетом конференции, за качество английского текста отвечают исключительно авторы. Этот пункт может явиться критическим при принятии статьи к публикации издательством.
   Возможна публикация русской версии избранных докладов в виде статьи в журнале «Микроэлектроника» в 2008 году. Статья оформляется в соответствии с требованиями для авторов http://www.maik.ru/cgi-perl/journal.pl?lang=rus&name=mikelek&page=main и публикуется после положительной рецензии.

ICMNE-2003

Фотографии с конференции ICMNE-2003
Version for print «CONFERENCE PROGRAM«
Version for print «POSTERS»

ICMNE 2003
CONFERENCE PROGRAM

Monday, October 6th, 2003

9.00 — Registration & Accommodation
13.00-14.00 Lunch

Conference hall

Special Session

18.00 Welcome Party
19.00 Dinner

Thursday, October 7th, 2003

Conference hall

8.30 Welcome remarks

E.P. Velikhov, Conference Chair, RSC «Kurchatov Institute», Moscow
K.A. Valiev, Program Chair, IPT RAS, Moscow

Plenary Session I

Session 1. Litho I

13.00-14.00 Lunch

Conference Hall

Session 2. Litho II

Room A. Session 3. Nanotransistors

Room B. Session 4. Modelling

15.40-16.30 Coffee break

Conference Hall

Session 5. Micro- & nanostructures characterization

Room A. Session 6. Nanostructures

 

Room B. Session 7. Magnetic nanostructures.

19.00 Dinner

Wednesday, October 8th 2003

07.50 Breakfast

Conference hall.

Session 8. Photonics

10.30 Coffee break

Conference hall.

Session 9. Si/Ge heterostructures

 

13.00 Lunch

Conference hall.

Session 10. HDP processing.

 

Room A. Session 11. Technological processes I.

Room B. Session 12. Technological processes II.

15.40 Coffee break

16.30 Entresol. Poster Session I

Bottom hall. Exhibition

19.00 Dinner

 

Thursday, October 9th 2003

08.00 Breakfast

09.00 Conference hall

Plenary session II

10.30 Coffee break

11.00 Conference hall.

Session 13. UHF transistors and IC

13.00 Lunch

14.00 Conference hall.

Session 14. Nanostructures physics

Room A. Session 15. MEMS and Sensors

Room B. Session 16. Quantum Informatics.

16.20 Coffee break

16.30 Entresol. Poster session II

Bottom hall. Exhibition

19.30 Banquet

Friday, October 10th, 2003

09.00 Breakfast

10.00 Departure

 

POSTERS

October 8th. 2003

Poster session I
Entresol

P 1-1	Structure Peculiarities of Metallic Films Produced by Selective Removal of Atoms. B. Gurovich, A. Domantovsky, K. Maslakov, E. Olshansky, K. Prikhodko. Russian Research Center «Kurchatov Institute», Moscow, Russia.
P1-2	Electrical Properties of Metal Films Prepared by Selective Removal of Atoms. B. Gurovich1, K. Prikhodko1, A. Domantovsky1, D. Dolgy1, E. Ol’shansky1, B. Aronzon1, Y. Lunin2. 1. Russian Research Center «Kurchatov Institute», Moscow, Russia; 2. Institute for System Studies, RAS, Moscow, Russia.
P 1-3	Increasing of electric strength in the pseudospark gap with a high pulse repetition rate. Yu. D. Korolev, O. B. Frants, V. G. Geyman, R. V. Ivashov, N. V. Landl, I. A. Shemyakin. Institute of High Current Electronics, Tomsk, Russia.
P1-4	Heat — resistant light-sensitive polymer compositions based on poly(o — hydroxyamides) — heat-resistant photolacks. L. Rudaya1, N. Klimova1, T. Yourre1, G Lebedeva2, I. Sokolova3. 1. St. Petersburg State Technological Institute (Technical University), St. Petersburg, Russia; 2. Institute of Macromolecular Compounds, RAS, St. Petersburg, Russia; 3. St. Petersburg State Electr technical University (LETI), St. Petersburg, Russia.
P 1-5	Pre-exposure thermal treatment of photoresist layers under elevated pressure as applied to lithographic technologies of photomask and integrated microcircuit manufacture. V. A. Peremyshchev1, V. V. Martynov2. 1.Technology. Equipment. Materials company, Moscow, Russia; 2. Submicro Research and Development Association, Zelenograd, Russia.
P1-6	Discharge pumped table-top EUV laser on dense plasma of multi charged ions. V. Burtsev, E. Bol’shakov, V. Chernobrovin, N. Kalinin. Efremov Scientific Research Institute of Electrophysical Apparatus, St. Petersburg, Russia.
P1-7	Automatical Optimization of Pupil Filters for High-Resolution Photolithography. M. Machin, M. Gitlin, N. Savinskii. Institute for Microelectronics and Informatics of RAS.
P1-8	Self-align technology for nanotransistors channel forming. K. Valiev, A. Krivospitsky, A. Okshin, A. Orlikovsky, Yu. Semin. Institute of of Physics and Technology, RAS, Moscow, Russia
P1-9	The effect of imaging forces in ultra thin gate insulator on the tunneling current and its oscillations at the region of transition from the direct tunneling to the Fowler-Nordheim tunneling. E. I. Goldman, N. F. Kukharskaya, G. V. Chucheva and A. G. Zhdan. The Institute of Radio Engineering and Electronics, RAS.
P 1-10	Initiated tunnel current through thin gate oxide generation minority carriers in Si-MOS-structures. G. V. Chucheva1, A. S. Dudnikov2, E. I. Goldman1, N. A. Zaitsev2, A. G. Zhdan1. 1. The Institute of Radio Engineering and Electronics, RAS; 2. JSC «Mikron Corporation».
P1-11	Investigation of the leakage currents in SOI MOSFET with the nanoscale channel length. A. A. Frantsusov, N. I. Bojarkina, M. A. Ilnitsky, V. P. Popov, L. N. Safronov. Institute of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, Russia.
P 1-12	Gamma radiation tolerance of 0.5 µm SOI MOSFETs. O. V. Naumova, A. A. Frantsuzov, V. P. Popov. Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia.
P1-13	The application of Thomas-Fermi equation for the modelling of an intra-atomic potential in the ultrathin gate dielectric. G. Krasnikov, A. Eremenko, N. Zaitsev, I. Matyushkin. Research and Development Institute for Molecular Electronics and Plant MICRON, Moscow, Zelenograd, Russia.
P 1-14	Optical and photoelectrical characterization of as-deposited and annealed PECVD polysilicon thin film. A. V. Khomich1, V. I. Kovalev1, A. S. Vedeneev1, A. G. Kazanskyi2, P. A. Forsh D. He2, X. Q. Wang3, H. Mell4. 1. Institute of Radiotechnics and Electronics, RAS, Fryazino, Russia; 2. M.V. Lomonosov Moscow State University, Department of Physics, Moscow, Russia; 3. Lanzhou University, Department of Physics School of Physical and Technology, Lanzhou, China; 4. Philipps-Universitat Marburg, Fachdereich Physik, Marburg, Germany.
P1-15	Polycrystalline silicon for semiconductor devices. D. Milovzorov. Institute of Physics and Technology, RAS, Moscow, Russia.
P 1-16	Ion synthesis of silicate glasses: simulation, process engineering and applied aspects. S. Krivelevich, E. Buchin, Yu. Denisenko, A. Tsyrulev. Institute of Microelectronics and Informatics, RAS, Yaroslavl, Russia.
P1-17	Investigation of energy levels in Si subjected high-temperature diffusion annealing in Zn atmosphere. Kornilov B.V., Privezentsev V. V. Institute of Physics and Technology, RAS, Moscow, Russia.
P1-18	Influence of cells-MOSFETs with Schottky barrier drain contact location in power IC on electrical device characteristics. M. Korolev1, A. Krasukov1, R. Tihonov2. 1. Moscow State Institute of Electronics Engineering; 2. Scientific Manufacturing Center «Technological Center», Moscow, MSIEE
P1-19	Functional Diagnostics of the Metal Diffusion in Silicon. A. E. Berdnikov, V. N. Gusev, A. A. Popov, V. I. Rudakov, V. D. Chernomordik. Institute of Microelectronics and Informatics RAS, Yaroslavl, Russia.
P1-20	Development of the scanning spreading resistance microscopy for nanoscale structure properties investigation. V. Shevyakov1, S. Lemeshko2, A. Tihomirov1. 1. Moscow Institute of Electronic Engineering, Zelenograd, Moscow, Russia; 2. Molecular Devices and tools for nanotechology Co., Zelenograd, Moscow.
P1-21	Application of piezoelectric monocrystals in devices of exact positioning of probe microscopes. V. Antipov, M. Malinkovich, Yu. Parkhomenko. Moscow Steel and Alloys Institute, Russia.
P1-22	Low-Frequency Noise in Disordered Silicon Systems. M. I. Makoviychuk1, E. O. Parshin1, A. L. Chapkevich2. 1. Institute of Microelectronics & Informatics, RAS, Yaroslavl, Russia; 2. Moscow Committee of Science and Technologies, Moscow, Russia.
P1-23	Characterization of nanocrystals in porous germanium layer by X-RAY diffraction. A. Lomov1, V. Bushuev2, V. Karavanskii 3. 1. A.V. Shubnikov Institute of Crystallography, RAS, Moscow, Russia; 2. M.V. Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia; 3. Institute of Natural Sciences Center of General Physics Institute, RAS, Moscow.
P1-24	Advanced capabilities of binary modulation polarization ellipsometry. V. I. Kovalev, A. I. Rukovishnikov, A. V. Khomich. Institute of Radiotechnics and Electronics, RAS, Fryazino, Russia.
P1-25	Nonlinear-optical microscopy for polarization switching in thin ferroelectric films. E. Mishina1, N. Sherstyuk1, K. Vorotilov1, A. Sigov1, Th. Rasing2, V. M. Mukhortov3. 1. Moscow State Institute of Radioengineering, Electronics and Automation, Russia; 2. University of Nijmegen, The Netherlands; 3. Institute of General Physics, RAS, Moscow, Russia.
P1-26	PMMA and polystyrene films modification under ion implantation studied by spectroscopic ellipsometry. A. V. Leontyev1, V. I. Kovalev2, A. V. Khomich2, F. F. Komarov1. 1. Belorussian State University, Minsk, Belarus; 2. Institute of Radiotechnics and Electronics, RAS, Fryazino, Russia.
P1-27	Ellipsometric investigation of buried layers in ion-implanted and annealed silicon and diamond structures. V. I. Kovalev1, A. V. Khomich1, A. I. Rukovishnikov1, R. A. Kmelnitskyi2, E. V. Zavedeev3. 1. Institute of Radiotechnics and Electronics, RAS, Fryazino, Russia; 2. Lebedev Physical Institute, RAS, Moscow, Russia; 3. General Physics Institute, RAS, Moscow, Russia.
P1-28	Computer Simulation Application for Improving Correctness of Data Obtained by Magnetic Force Microscope. D. Ovchinnikov, A. Bukharaev. Zavoisky Physical Technical Institute of RAS, Kazan, Russia.
P1-29	Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. N. Nurgazizov, A. Bukharaev. Zavoisky Physical Technical Institute of RAS, Kazan, Russia.
P1-30	Wave-ordered structure on silicon surface and its modification by wet and dry etching. D. S. Kibalov, I. V. Zhuravlev, P. A. Lepshin, G. F. Smirnova, I. I. Amirov, V. K. Smirnov. Institute of Microelectronics and Informatics, RAS, Yaroslavl, Russia.
P1-31	Simulation of a ballistic field effect nanotransistors. A. A. Sidorov, V. V. V’yurkov, and A. A. Orlikovsky. Institute of Physics and Technology RAS, Moscow
P1-32	Bi films for the fabrication of nanowires by the probe lithography. A. Chernykh, A. Il’in, O. Kononenko, G. Mikhailov. Institute of Microelectronics Technology & High Purity Materials, RAS, Chernogolovka, Moscow.
P1-33	Current transport and photoelectric properties of silicon nanocomposite — porous SiC. V. I. Sokolov1, M. V. Zamoryanskya1, L. V. Grigoryev2, V. A. Berbetc2, V. E. Ter-Nersysiants2. 1. Ioffe Physicotechnical Institute, St. Peterburg, Russia; 2. St.Petersburg University, Physical Research Instituteб Russia.
P1-34	The research system for experiments on studying the gas medium influence on the electroforming process. V. Levin, V. Mordvintsev. Institute of Microelectronics and Informatics, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia.
P1-35	Current transport in thermooxidized silicon nanocomposite. V. I. Sokolov, M. V. Zamoryanskya, L. V. Grigoryev, V. A. Berbetc, V. E. Ter-Nersysiants 1. Ioffe Physicotechnical Institute, St.Petersbyrg, Russia; 2. St.Petersburg University, Physical Research Institute.
P1-36	An Investigation into Nano-Sized Fractal Film Structures. I. Serov 1, G. Lukyanov2, V. Margolin 1 , N. Potsar 3 , I. Soltovskaya 1 , V. Fantikov 3. 1. Aires New Medial Technologies Foundation, St. Petersburg, Russia; 2. St. Petersburg State Institute of Fine Mechanics and Optics (Technical University); 3. St. Petersburg State Electrotechnical University (LETI), St. Petersburg, Russia.
P1-37	The features of electroforming in open sandwich structures Si-SiO2-W for silicon of different types of conductivity. V. Mordvintsev, S. Kudryavtsev, V. Levin. Institute of Microelectronics and Informatics, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia.
P1-38	Influence of electrostatic interaction between a conducting cantilever and a metal film on the local anodic oxidation. A. N. Bulatov, V. K. Nevolin. Moscow State Institute of Electrical Engineering, Zelenograd, Moscow, Russia.
P1-39	Electron Beam Induced Deposition of Iron Carbon Nanostructures from Iron Dodecacarbonyl Vapour. M. A. Bruk1, E. N. Zhikharev2, E. I. Grigoriev1, A. V. Spirin1, V. A. Kalnov2, I. E. Kardash1. 1. Kaprov Institute of Physical Chemistry, Moscow, Russia; 2. Physics & Technology Institute of Russian Academy of Science, Moscow, Russia.
P1-40	PZT nanostructures templated into porous alumina membranes. V. A. Vasil’ev 1 , E. D. Mishina 1 , K. A. Vorotilov 1 , A. S. Sigov 1 , O. Zhigalina 2 , N. M. Kotova 3. 1. Moscow State Institute of Radioengineering, Electronics and Automation, Moscow, Russia; 2. Institute of Crystallography, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia; 3 Institute of Physical Chemistry, Moscow, Russia.
P1-41	Diffusive and ballistic regime for transfer resistances. V. Yu. Vinnichenko, A. V. Chernykh and G. M. Mikhailov. Institute of the Microelectronic Technology and High Pure materials RAS , 142432 , Chernogolovka , Moscow Region , Russia.
P1-42	The investigations of ferroelectric thin films in virtual measuring system. E. Pevtsov, A. Sigov, A. Pyzhova, A. Gorelov. Moscow State Institute of Radioengineering, Electronics & Automation (Technical University), Russia
P1-43	MFM study and computer simulation of domain structures in permalloy elements. A. G. Temiryazev. Institute of Radioengineering & Electronics RAS, Fryazino, Russia.
P1-44	Fast ferroelectric domain switching probed by second harmonic generation. E. D. Mishina 1 , N. E. Sherstyuk 1 , A. S. Sigov 1 , A. V. Mishina 2 , V. M. Mukhortov3 , Th. Rasing 4. 1. Moscow State Institute of Radioengineering, Electronics and Automation, Moscow, Russia; 2. Tver State Technical University, Tver, Russia; 3. Institute of General Physics, Russian Academy of Science, Moscow, Russia, 4. University of Nijmegen, The Netherlands.
P1-45	Ferroelectric nanostructures sputtered on alumina membranes. E. D. Mishina 1, V. I. Stadnichuk 1, A. S. Sigov 1, Yu. I. Golovko 2, V. M. Mukhorotov 2, Th. Rasing 3. 1. Moscow State Institute of Radioengineering, Electronics and Automation, Moscow; 2. Institute of General Physics, Russian Academy of Science, Moscow, Russia. 3. University of Nijmegen, The Netherlands.
P1-46	FMR investigation of permalloy array structures. Yu. A. Filimonov1, S. A. Nikitov2, A. V. Butko3, A. V. Kozhevnikov1, A. A. Veselov1, S. L. Vysotsky. 1. Institute of Radioengineering & Electronics, RAS, Saratov Department, Saratov, Russia; 2. Institute of Radioengineering& Electronics, RAS, Moscow, Russia.
P1-47	Magnetic properties of DC magnetron sputtered thin nickel films. A. S. Dzhumaliev, Yu. A. Filimonov, S. N. Vasiltchenko, A. V. Kozhevnikov, S. L. Vysotsky. Institute of Radioengineering & Electronics, RAS, Saratov Department, Saratov, Russia
P1-48	Influence of growth temperature on the easy magnetization axis switch and domain structure in Fe/GaAs(100) structures. Yu. Filimonov, A. Dzhumaliev, A. Kozhevnikov, S. Vysotsky. Institute of Radioengineering & Electronics, RAS, Saratov Department, Saratov, Russia.
P1-49	Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, and K. A. Valiev. Institute of Physics and Technology RAS, Moscow, Russia.
P1-50	Etching mechanism of Au thin films in Cl2/Ar inductively coupled plasma. A. Efremov 1,2, V. Svettsov 1, C. — I. Kim 2. 1. Ivanovo State University of Chemistry & Technology, Ivanovo, Russia; 2. Chung-Ang University, Seoul, Korea.
P1-51	Investigation of influence of low energy ion beam parameters on process of Reactive Ion Beam Synthesis (RIBS) of thin films. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Institute of Physics and Technology RAS, Moscow, Russia.
P1-52	Application RIE system in precise piezoelectric quartz resonators and filters manufacture. V. Galperin, V. Zuev. OAO Angstrem, Zelenograd, Russia.
P1-53	Simulation of technological process by etching of microstructures in high-voltage gas discharge plasma. N. Kazanskiy, V. Kolpakov. Image Processing Systems Institute, RAS, Samara, Russia
P1-54	The equation of a two-dimensional island growth on the incommensurable monocrystalline substrate. Yu. N. Devyatko, S. V. Rogozhkin, A. V. Fadeev. Moscow engineering-physical institute (state university), Moscow, Russia.
P1-55	The mathematical modeling of the polymerization processes during the high-temperature oxidation of silicon. G. Krasnikov, A. Eremenko, N. Zaitsev, I. Matyushkin. Research and Development Institute for Molecular Electronics and Plant MICRON Moscow, Zelenograd, Russia.
P1-56	Defects in YSZ films induced by electric breakdowns during magnetron deposition on Si substrate. V. G. Beshenkov, V. A. Marchenko, A. G. Znamenskii. Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia.
P1-57	Application of modified moments method for kinetics description of nano-, micro -particles formation in gas phase. A. Durov, M. Deminsky, M. Strelkova, B. Potapkin. RRC «Kurchatov Institute», 123182, Kurchatov sq. 1, Moscow, Russia.
P1-58	First principle calculations of interactions of ZrCl4 precursors with bare and hydroxylated ZrO2 surface. I. M. Iskandarova 1, A. A. Knizhnik 1, E. A. Rykova 1, A. A. Bagatur’yants 1, B. V. Potapkin 1, A. A. Korkin 2. 1. Kinetic Technologies Ltd., Moscow, Russia; 2. Semiconductor Products Sector, Motorola Inc., Mesa, USA.
P1-59	Vanadium reactive magnetron sputtering in mixed Ar/O2 discharges. V. A. Marchenko. Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia.
P1-60	Some properties of titanium nitride films deposited by reactive magnetron sputtering. V. Bochkaryov, S. Kudryavtsev, V. Mordvintsev, N. Timina, L. Tsvetkova. Institute of Microelectronics and Informatics, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia.
P1-61	Structural Transition in Amorphous Silicon Deposited by Low Frequency Discharge. A. A. Popov1, A. E. Berdnikov1, V. D. Chernomordik1, Yu. A. Munakov1, M. D. Efremov2, V. A. Volodin2. 1. Institute of Microelectronics and Informatics RAS, Yaroslal, Russia; 2. Institute of Semiconductors Physics, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia.
P1-62	Nb epitaxy at the time of low-energy ion bombardment conditions. V. V. Naumov, V. F. Bochkarev, A. A. Goryachev, A. S. Kunitsyn, E. I. Ilyashenko, P. E. Goa, T. H. Iohansen. 1. Institute of Microelectronics and Computer Science, RAS, Yaroslavl, Russia; 2. University of. Oslo, Norway.
P1-63	Contact systems for sub-100 nm CMOS technology. I. A. Horin 1, A. A. Orlikovsky1, A. G. Vasiliev 1,2, A. L. Vasiliev 3,4. 1. Institute of Physics & Technology (IPT), Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia; 2. Moscow State Institute of Radioengineering, Electronics and Automation (Technical University), Moscow, Russia; 3. Institute of Crystallography, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia; 4. Department of Metallurgy and Materials Eng., Institute of Materials Science, Unit 3136, University of Connecticut, Storrs, USA.
P1-64	The polyimides photoresist for multilevel- interconnect VLSI technology. N. Savinski. Laboratory of Molecular Electronics, Institute of Microelectronics and Informatics of RAS, Yaroslavl, Russia.
P1-65	Epitaxial erbium silicide contact to silicon-germanium. Zs. J. Horvath 1, G. Molnar1, G. Peto 1, I. Dezsi 2, R. Loo 3, M. Caymax 3, K. Z’d’ansky 4. 1. Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest 114, Hungary; 2. KFKI Research Institute for Particle and Nuclear Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest 114, Hungary; 3. IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium; 4. Institute of Radio Engineering and Electronics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Chaberska 57, Prague 8, 18251, Czech Republic.
P1-66	Electrical behaviour of Al/Si and Al/SiGe junctions: Effect of surface treatment. Zs. J. Horvath 1, L. K. Orlov 2, M. Adam 1, A. V. Potapov 2, I. Szabo 1, V. A. Tolomasov 2, B. Cvikl 3, Yu. M. Ivanov 4, D. Korosak 3, E. Pashaev 4. 1. Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest, Hungary; 2. Institute for Physics of Microstructures, RAS, Nizhny Novgorod, Russia; 3. Faculty of Civil Engineering, University of Maribor, Maribor, Slovenia, and J. Stefan Institute,Ljubljana, Slovenia; 4. Institute of Crystallograhpy, RAS, Moscow, Russia.
P1-67	Modeling diffusion of ion implanted impurity in crystalline silicon under a temperature gradient. V. Rudakov, V. Ovcharov, A. Bashmakov. Institute of Microelectronics and Informatics, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia.
P1-68	Modeling of Phosphorous Diffusion in Ion-Implanted Si in Condition of Dopant Transient Enhanced Out-Diffusion at Vacuum Rapid Thermal Annealing. V. Kagadei 1, A. Markov 2, D. Proskurovsky 2. 1. Research Institute of Semiconductor Devices, Tomsk, Russia; 2. Institute of High Current Electronics, Tomsk, Russia.
P1-69	Precision studies of semiconductor superlattices by X-Ray diagnostic methods. E. Pashaev 1, S. Yakunin 1, A. Zaitsev 2. 1. Institute of Crystallography, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia; 2. Moscow Institute of Radio Engineering and Automatics, Moscow, Russia.
P1-70	Determining the surface electrostatic potential ?s of a dielectric bordering semiconductor using the method of ? ‘s (?s)-diagrams. G. V. Chucheva, N. F. Kukharskaya, A. G. Zhdan. The Institute of Radio Engineering and Electronics, RAS, Moscow, Russia.

 

October 9th. 2003

Poster session II
Entresol

P2-71	Fabrication of 3D photonics structures. S. Zaitsev, M. Knyazev, S. Dubonos. Institute of Microelectronics Technology, RAS, Chernogolovka, Russia.
P2-72	Quality of silicon macropores produced by deep anodic etching (DAE) depending on silicon wafer resistivity and parameters of the DAE procedure. V. V. Starkov, E. Yu. Gavrilin, A. F. Vyatkin, S. V. Dubonos, and M. A. Knyasev. Institute of Microelectronics Technology, RAS, Moscow district, Chernogolovka, Russia.
P2-73	Investigation of a nucleation stage of macropore formation in p-type silicon. V. V. Starkov, E. Yu. Gavrilin, A. F. Vyatkin. Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Moscow district, Chernogolovka, Russia.
P2-74	Transition from quasi-hexagonal to quasi-one dimensional pores distribution during deep anodic etching of uniaxial stressed silicon plate. V. V. Starkov1, E. Yu. Gavrilin1, A. F. Vyatkin1, V. I. Emel’yanov2, and K. I. Eremin2. 1. Institute of Microelectronics Technology, RAS, Moscow — Chernogolovka, Russia, 2. International Laser Center, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia
P2-75	Porous anodic alumina for photonics and optoelectronics. S. Gavrilov 1, D. Kravtchenko 1, A. Zheleznyakova 1, V. Timoshenko 2, P. Kashkarov 2, V. Melnikov2, G. Zaitsev 2, L. Golovan 2. 1. Moscow Institute of Electronic Technology, Moscow, Russia; 2. Physics Department, M.V. Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia.
P2-76	Study on interaction of organic luminophors with the modified porous alumina. G. Gorokh 1, A. Kukhta 2, Yu. Koshin 1, D. Solovei 1, A. Poznyak 1, A. Mozalev. 1. Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus; 2. Institute of Molecular and Atomic Physics, Minsk, Belarus.
P2-77	Design and manufacturing of passive — matrix for organic light-emitting micro display. M. Gitlin, N. Savinski, K. Truhanov, M. Kachalov, E. Savinskaya. Laboratory of Molecular Electronics, Institute of Microelectronics and Informatics of RAS, Yaroslavl, Russia.
P2-78	The strain distribution in Si lattice of the layer containing в -FeSi2 precipitates. A. Borun, N. Khmelnitskaja, Yu. Parkhomenko, E. Vygovskaja. The Moscow institute of steel and alloys, Moscow, Russia.
P2-79	Residual Photoresist Removal from Si and GaAs Surface by Atomic Hydrogen Flow Treatment. E. Anischenko 1, V. Diamant 2, V. Kagadei 1, E. Nefeyodtsev 3, K. Oskomov 3, D. Proskurovsky 3, S. Romanenko 3. 1. Research Institute of Semiconductor Devices, Tomsk, Russia; 2. Atomic Hydrogen Technologies, Katzrin, Israel; 3. Institute of High Current Electronics, Tomsk, Russia.
P2-80	Structural characterization of undoped and Si-doped AlGaAs/GaAs double quantum wells separated by a thin AlAs layer. A. Lomov 1, M. Chuev 2, G. Galiev 3, E. Klimov 3, A. Cherechukin 3. 1. A.V. Shubnikov Institute of Crystallography, RAS, Moscow, Russia; 2. Institute of Physics & Technology of RAS, Moscow, Russia; 3. Institute of UHF Semiconductor Electronics of RAS, Moscow, Russia.
P2-81	CANCELLED!
P2-82	Formation of multilayer Co/Cu and Ni/Cu structures by magnetron sputtering and electron-beam evaporation. I. A. Horin1, V.F. Meshcheryakov2, A. A. Orlikovsky1, K. V. Timonin3, A. G. Vasiliev1,2. 1. Institute of Physics & Technology (IPT), RAS, Moscow, Russia; 2. Moscow State Institute of Radioengineering, Electronics and Automation (Technical University), Moscow, Russia; 3. Institute of Crystallography, RAS, Moscow, Russia.
P2-83	Tilted-axes YBCO thin films: from vicinal range to step bunching. P. B. Mozhaev 1,2, J. E. Mozhaeva 1,2, C. S. Jacobsen2, J. B. Hansen2, I. K. Bdikin3, T. Donchev4, E. Mateev4, T. Nurgaliev4, S. A. Zhgoon5, A. E. Barinov5. 1. Institute of Physics and Technology, RAS, Moscow, Russia, 2. Technical University of Denmark, Physics Dept., Lyngby, Denmark,3. Dept. of Ceramic and Glass Engineering, CICECO, University of Aveiro, Aveiro, Portugal 4. Institute of Electronics Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, Bulgaria 5. Moscow Power Engineering Institute, Moscow, Russia
P2-84	Photoluminescence spectroscopy of quantum well GaAs/InGaAs/GaAs in electrical field. Yu. V. Khabarov, L. E. Velikovsky. Institute of UHF Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia.
P2-85	Submicron probes for Hall magnetometry over the extended temperature range from helium to room temperatures. S. V. Morozov 1, S. V. Dubonos 1, K. S. Novoselov1,2, A. K. Geim 2. 1. Institute of Microelectronics Technology and High Purity Material, RAS, Chernogolovka, Russia; 2. University of Manchester, Manchester, UK.
P2-86	Argon-oxygen ion-plasma treatment modifies photoluminescence spectrum of porous silicon. B. M. Kostishko, S. J. Salomatin. Ul’yanovsk State University, Ul’yanovsk, Russia.
P2-87	Method of electrophysical parameters determination in semiconductors by means of microstripe resonator. V. V. Sidorin, A. V. Sidorin. Moscow State Institute of Radioenginiriing, Electronics and Automation (Technical University) MIREA, Moscow, Russia.
P2-88	Modeling Atomic Hydrogen Diffusion in GaAs. V. Kagadei 1, E. Nefyodtsev 2. 1. Research Institute of Semiconductor Devices, Tomsk, Russia; 2. Institute of High Current Electronics, Tomsk, Russia.
P2-89	Dry Cleaning of Fluorocarbon Residues by Atomic Hydrogen Flow. E. Anischenko 1, V. Diamant 2, V. Kagadei 1, E. Nefyodtsev 3, D. Proskurovsky 3, S. Romanenko 3. 1. Research Institute of Semiconductor Devices, Tomsk, Russia; 2. Atomic Hydrogen Technologies, Katzrin, Israel; 3. Institute of High Current Electronics, Tomsk, Russia.
P2-90	Application of Atomic Hydrogen Treatment in Si and GaAs Based Devices Technology. V. Kagadei 1, E. Nefyodtsev 2, D. Proskurovsky 2, S. Romanenko 2. 1. Research Institute of Semiconductor Devices, Tomsk, Russia; 2. Institute of High Current Electronics, Tomsk, Russia.
P2-91	F+, B+ ion implantation into GaAs multilayer heterostructures. M. Tigishvili, N. Gapishvili, R. Melkadze, M. Ksaverieva, T. Khelashvili. Research & Production Complex (RPC) » Electron Technology» of Tbilisi State University, Tbilisi Georgia.
P2-92	DD-PHEMT structures and technology on GaAs for power amplification in up to millimeter wave range. V. G. Mokerov 1, A. S. Bugayev 1, Yu. V. Fedorov 1, M. Yu. Scherbakova 1, A. P. Senichkin 1, A. T. Grigoriev 1, E. N. Enyushkina 1, L. E. Velikovskii 1, G. Z. Garber 2, A. M. Zubkov 2, Yu. A. Matveyev 2. 1. Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS (IUHFSE RAS), Moscow, Russia; 2. Science Research Institute «Pulsar», Moscow, Russia
P2-93	InAlAs/InGaAs isomorphic HEMT’s with cut off frequency ft>100GHz for mm-wave applications. V. G. Mokerov, Yu. V. Fedorov, A. S. Bugaev, M. Yu. Scherbakova, A. T. Grigoriev, E. N. Enyushkina. 1. Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS (IUHFSE RAS) Moscow,Russia.
P2-94	Structure Peculiarities of Metallic Films Produced by Selective Removal of Atoms. B. Gurovich, A. Domantovsky, K. Maslakov, E. Olshansky, K. Prikhodko. Russian Research Center «Kurchatov Institute», Moscow, Russia.
P2-95	Logic gates based on resonant-tunneling diodes. A. Gorbatsevich 1, I. Kazakov 2, M. Kirillov 1, B. Nalbandov 1, S. Schmelev 1, A. Tsibizov 2. 1. Moscow Institute of Electronic Technology (Technical University), Moscow, Russia; 2. P.N. Lebedev Physical Institute, RAS, Moscow, Russia.
P2-96	CANCELLED!
P2-97	Liquid phase epitaxial growth and optical properties of InxGa1-xAsySb1-y on GaSb B. Podor, V. Rakovics, J. Balazs, A. L. Toth. Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest, Hungary.
P2-98	Design of P-HEMT-MMIC chipset for X-band active phased array radar. V. G. Mokerov, B. G. Nalbandov, E. N. Ovcharenko, T. I. Kuznetzova, D. L. Gnatyuk, A. S. Bugaev, Yu. V. Fedorov. Institute of UHF Semiconductor Electronics of RAS, Moscow, Russia.
P2-99	Au electrical contacts to GaSb based epitaxial structures. Zs. J. Horvath, V. Rakovics, B. Podor. Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest 114, Hungary.
P2-100	The process of low-temperature diffusion in production of the semiconductor devices. A. Bibilashvili, Z. Bokhochadze, A. Gerasimov, N. Gochaleishvili, R. Kazarov, I. Lomidze, E. Maziashvili, S. Sikharulidze. Microelectronics chair of Tbilisi State University, Tbilisi, Georgia.
P2-101	Elaboration of gallium arsenide technology in Georgia for development of microelectronic devices. N. Khuchua 1, Z. Chakhnakia 1, L. Khvedelidze 1, R. Melkadze 1, A. Tutunjan 1, R. Diehl 2. 1. Research and Production Complex (RPC) «Electron Technology» of I.Javakhishvili Tbilisi State University, Tbilisi, Georgia; 2. III-V Electronics and Optoelectronics Hardheim, Germany.
P2-102	Spatially-Ingomogeneous Effects at the Interference of Electron Waves in Semiconductor 1D Nanostructures. V. A. Petrov and A. V. Nikitin
P2-103	Optimization of double barrier doped heterostructures lGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs for ultra high frequency FET. G. Galiev 1, V. Kaminskii 1, V. Kul’bachinskii 2. 1. Institute of UHF semiconductor electronics, RAS, Moscow, Russia; 2. Moscow State University, Moscow, Russia.
P2-104	Electronic band structure and semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells. I. Lapushkin 1, A. Zakharova 1, S. T. Yen 2, K. A. Chao 3. 1. Institute of Physics and Technology of RAS, Moscow; 2. Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China 3. Department of Physics, Lund University, Lund, Sweden.
P2-105	The influence of classical and quantum-mechanical regions interaction on IV-characteristics of RTD, based on different materials. I. I. Abramov, I. A. Goncharenko, N. V. Kolomejtseva. Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus.
P2-106	Room temperature photoreflectance investigation of undoped and doped GaAs/AlGaAs quantum well structures. L. P. Avakyants 1, P. Yu. Bokov 1, A. V. Chervyakov 1, G. B. Galiev 2, E. A. Klimov 2. 1. Physics faculty of M.V. Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia; 2. Institute of UHF Semiconductor Electronics RAS, Moscow, Russia.
P2-107	Negative magnetoresistance due to electron-electron interaction in InGaAs/InP heterostructures. B. Podor 1,2, I. G. Savel`ev 3, Gy. Kovacs 4, G. Remenyi 5. 1. Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest, Hungary; 2. Budapest Polytechnic, Kando Kalman Faculty of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics and Technology, Budapest, Hungary; 3. A. F. Ioffe Physical Technical Institute, RAS, St. Petersburg, Russia; 4. Department of General Physics, Eotvos Lorand University, Budapest, Hungary; 5. CNRS Centre de Recherches sur les Tres Basses Temperatures et Laboratoire des Champs Magnetiques Intenses, Grenoble, France.
P2-108	Influence of a transversal electric field to acoustic charge transport in the GaAs heterostructures. V. I. Еgоrкin, А. К. Моrоchа. Moscow Institute of Electronic Technology, Moscow, Russia.
P2-109	Spin-dependent tunneling through a symmetric barrier structure with buried electrical polarization. V. Kantser, I. Bejenari, G. Birliba. LISES Institute of Applied Physics ASM, Kishinev, Moldova.
P2-110	Change of a resistance and real structure under x-ray irradiation. V. Peregudov 1, V. Kirikov 2, E. Pashaev 2, S. Yakunin 2, A. Zaitsev 3, S. Tikhomirov2. 1. RRC «Kurchatov Institute», Moscow, Russia; 2. Institute of Crystallography, RAS, Moscow, Russia; 3. Moscow Institute of Radio Engineering and Automatics, Moscow, Russia.
P2-111	Uncooled microbolometer based on microbridge structure technology. Yu. Chetverov2, S. Shapoval1. 1. Institute of Microelectronics Technology RAS, Chernogolovka, Russia; 2. R&D Corporation «Tsiklon», Moscow, Russia.
P2-112	An investigation of relative current sensitivity of bipolar magnetotransistor. R. D. Tikhonov. SMC «Technological Centre» at the MSIEE, Moscow, Russia.
P2-113	Numerical simulation of piezoresistive effect by ISE TCAD tools for microsystems engineering elements. T. Kroupkina1, O. Pankratov2, V. Amelichev2. 1. Moscow Institute of Electronic Engineering, Moscow, Russia; 2. SMC «Technological Center» Moscow, Russia.
P2-114	Statistical Modeling for IC Manufacture: Hierarchical Approach. Yu. I. Bogdanov 1, N. A. Bogdanova 2 1. OAO Angstrem, Moscow, Russia 2. Moscow Institute of Electronic Engineering (Technical University), Moscow, Russia
P2-115	The optimization of relative current sensitivity of bipolar magnetotransistor. A. Kozlov1, M. Reveleva1, R. Tikhonov2. 1. Moscow State Institute of Electronic Technology (Technical University), Moscow, Russia; 2. SMC «Technological Center» at the MSIEE, Moscow, Russia.
P2-116	Investigation of the pressure influence on the characteristics of the silicon micromechanical oscillator. S. Timoshenkov, A. Boiko, V. Shilov, V. Rubchic. Moscow Institute of Electronic Engineering (Technical University), Moscow, Russia.
P2-117	Microtechnologies & MEMS projects. E. N. Pyatishev, Y. Akulshin, A. Kazakin, M. Lurie. St. Petersburg State Polytechnical University, St. Petersburg, Russia.
P2-118	To theory of electrophysical modification of microelectronic devices. V. M. Bogomol’nyi. Moscow State University of Service. Cherkizovo. Russia.
P2-119	Fast switching high-voltage gallium arsenide devices. A. Rozhkov, V. Kozlov. Ioffe Physico-Technical Institute RAS, St. Petersburg, Russia
P2-120	Phonon-induced decoherence of solid state charge-based quantum computer. L. Fedichkin 1, A. Fedorov 2, M. Yanchenko 3. 1. Center for Quantum Device Technology, Department of Physics and Department of Electrical and Computer Engineering, Clarkson University, Potsdam, NY, USA. 2. Department of Physics, Clarkson University, Potsdam, NY, USA. 3. Institute of Physics and Technology, RAS, Moscow, Russia.
P2-121	Microscale regulation of quantum fluctuations of light at nonlinear selective reflection. Ja. Fofanov. Institute for Analytical Instrumentation, RAS, St. Petersburg, Russia.
P2-122	Noise detector on base of a system of asymmetric loops with the persistent current. V. V. Aristov, S. V. Dubonos, V. I. Kuznetsov, A. A. Firsov, A. V. Nikulov, I. N. Zhilyaev. Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, RAS, Chernogolovka, Russia.
P2-123	Phase response of spin-dependent single-hole tunneling in silicon one-dimensional rings. N. T. Bagraev1, A. D. Bouravleuv1, W. Gehlhoff2, L. E. Klyachkin1, A. M. Malyarenko1, I. A. Shelykh3. 1. A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, St.Petersburg, Russia; 2. Technische Universitat Berlin, Institut fur Festkorperphysik, Berlin, Germany; 3. St.Petersburg State Technical University, St.Petersburg, Russia.
P2-124	Surface scattering in giant- magnetoresistance multilayered structures. V. V. V’yurkov, S. D. Ananiev, A. A. Orlikovsky. Institute of Physics and Technology of the RAS, Moscow, Russia.
P2-125	Structure of Nano-Cavities by Magnetic Resonance Methods. E. B. Fel’dman, M. G. Rudavets. Institute of Problems of Chemical Physics, RAS, Chernogolovka, Russia.
P2-126	About parallel computing on spatial rotations in spin mesomorphic structures. M. M. Nesterov, V. I. Tarkhanov. 1. St.Petersburg Institute of Informatics and Automation, RAS, St. Petersburg, Russia; 2. St. Petersburg State Polytechnical University, St. Petersburg, Russia.
P2-127	Quantum States Estimation: Root Approach. Yu. I. Bogdanov. OAO «Angstrem», Moscow, Russia.
P2-128	CANCELLED!
P2-129	The scanning single ion implanter for solid-state quantum computer. V. Zhukov. Institute for Informatics and Automation, RAS, Saint-Petersburg, Russia.
P2-130	Regularities of power consumption in quasiadiabatic logical gates. V. Staroselsky, V. Losev. Moscow State Institute of Electronic Engineering, Moscow, Russia.
P2-131	About application of logic opportunities of electron-hole plasma in the information — computing technologies. H. Karayan, A. Makaryan, G. Nikogosyan. Yerevan State University, Yerevan, Armenia.
P2-132	Physical calculations and computers. H. Karayan, Sh. Martirosyan, H. Vardanyan. Yerevan State University, Yerevan, Armenia.
P2-133	Correlation Characteristics in Multilevel Clustering Fault Model. Yu. I. Bogdanov 1, N. A. Bogdanova 2, A. V. Rudnev 1. 1. OAO Angstrem, Moscow, Russia; 2. Moscow Institute of Electronic Engineering (Technical University), Moscow, Russia.
P2-134	The tools for numerical «renascence» procedure of electrical and processes parameters of complex devices of the integrated circuits. I. I. Abramov1, V. A. Dobrushkin 2, V. A. Tsurko 3, V. A. Zhuk 4. 1. Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus; 2. Brown University, Providence, USA; 3. National Academy of Scienses, Institute of Mathematics, Minsk, Belarus; 4. Silvaco Data Systems Inc., Santa Clara, USA.
P2-135	Silicone elastoplastics for microsystem engineering. P. A. Averichkin, V. A. Kalnov, A. A. Shlionsky. FGUP «GIREDMET», Moscow, Russia. Institute of Physics and Technology, RAS, Moscow, Russia
P2-136	Quartz surface carbonilization. P. A. Averichkin, V. A. Kalnov, A. A. Shlionsky, N. I. Shmatov. FGUP «GIREDMET», Moscow, Russia. Institute of Physics and Technology, RAS, Moscow, Russia