14-я Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2021" (ICMNE-2021) с расширенной сессией "Квантовая информатика" состоится в подмосковном парк-отеле “Ершово”,
г. Звенигород, с 4 по 8 октября 2021 г.

   Эта конференция продолжает ряд регулярных Всероссийских (МНЕ-1999, МНЕ-2001, КИ-2002) и международных (ICMNE-2003, QI-2004, ICMNE-2005, QI-2005, ICMNE-2007, QI-2007, ICMNE-2009, QI-2009, ICMNE-2012, QI-2012, ICMNE-2014, QI-2014, ICMNE-2016, QI-2016, ICMNE-2018 и QI-2018) конференций.
   Общая информация
 
   Важные даты
 
   Комитеты
 
   Научная программа
 
   Скачать
 
   Информационное сообщение
 
   Место проведения
 
   Контактная информация
 
   Регистрация
 
   Информация о ICMNE-2018
 
   Информация о ICMNE-2016
 
   Информация о ICMNE-2014
 
   Информация о ICMNE-2012
 
   Информация о ICMNE-2009
 
   Информация о ICMNE-2007
 
   Информация о ICMNE-2005
 
   Информация о ICMNE-2003
 




















Общая информация

Предварительный список докладчиков

здесь


14-я Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2021" (ICMNE-2021), включающая расширенную сессию "Квантовая информатика", будет проводиться в очно-заочной форме 4-8 октября 2021 в парк-отеле "Ершово", Звенигород, Московская область, Россия. Она продолжает серию Всероссийских конференций МНЕ-1999, МНЕ-2001, КИ-2002 и международных конференций ICMNE-2003, QI-2004, ICMNE-2005, QI-2005, ICMNE-2007, QI-2007, ICMNE-2009, QI-2009, ICMNE-2012, QI-2012, ICMNE-2014, QI-2014, ICMNE-2016, QI-2016, ICMNE-2018 и QI-2018.

   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей микро- и наноэлектронных технологий, а также физики микро- и наноразмерных приборов. ICMNE-2021 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере.

Тематика:

Физика микро- и наноразмерных приборов:

  • Проблемы и пути масштабирования наноразмерных приборов и интегральных схем.
  • Нанотранзисторы: CMOS FET, TFET, SET, молекулярные транзисторы и переключатели и т.д.
  • Интегральные устройства памяти: DRAM, ReRAM, FeRAM.
  • Приборы с 1D и 2D каналами.
  • Углеродная микро- и наноэлектроника.
  • Твердотельные приборы для THz генерации и детектирования.
  • Магнитные микро- и наноструктуры и приборы, спинтроника.
  • Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства.
  • Приборы оптоэлектроники, фотоники.
  • Сенсоры, микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS, BioMEMS).
  • Моделирование приборов.

Технология и характеризация материалов для микро- и наноэлектроники:

  • Si, SOI, SiGe, A3B5, A2B6.
  • High-k, low-k диэлектрики.
  • Металлические пленки в приборных структурах УБИС.
  • 1D, 2D материалы.
  • Магнитные материалы, наномагнетики.
  • Материалы оптоэлектроники, фотовольтаики, метаматериалы.

Технологические процессы и перспективное технологическое оборудование микро- и наноэлектроники:

  • Литография: иммерсионная, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт.
  • Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
  • Back-End of Line (BEOL) процессы для технологии УБИС.
  • Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
  • Технологии 3D-интеграции интегральных схем.
  • Технология 2D материалов и структур для наноэлектроники (графен, MoS2, WS2 и др.
  • Технологии 1D структур (нанопровода, нанотрубки).
  • Технологии MEMS, NEMS, BioMEMS.
  • Технологии изготовления сверхпроводящих приборов.

Метрология:

  • Методы диагностики и управления технологическими процессами In situ (End-point детекторы, смарт-сенсоры).
  • Методы контроля, диагностики и характеризации микро- и наноструктур.

Квантовая информатика:

  • Квантовые компьютеры: теория и эксперимент.
  • Квантовые измерения.
  • Квантовые алгоритмы.
  • Квантовая связь.
  • Квантовые сенсоры.

Организаторы и спонсоры:

  • Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
  • АО "НИИМЭ", Зеленоград, Россия
  • Российский фонд фундаментальных исследований, Москва, Россия
  • Oтделение нанотехнологий и информационных технологий РАН
  • SPIE – The International Society for Optical Engineering
  • Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
  • Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
  • Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
  • TechnoInfo Ltd., Wembley, UK
  • Компания НИКС, Москва, Россия

Язык:

Рабочий язык конференции – английский.

Тезисы докладов:

   Оргкомитет ICMNE-2021 приветствует доклады, присланные от академического сообщества, университетов, отраслевой науки. Программный комитет будет оказывать предпочтение докладам, содержащим результаты последних оригинальных исследований, соответствующих тематике конференции. Тезисы докладов должны быть написаны ясным и лаконичным английским языком.

   Программа конференции будет включать как приглашенные доклады, так и принятые по результатам рецензирования Программным комитетом ICMNE-2021. Рейтинговое рецензирование будет проводиться на основе присланных тезисов докладов с учетом их соответствия тематике конференции и научному качеству представленных результатов. Окончательное решение о форме представления доклада (устной или стендовый) принимается Программным и Организационным комитетами; пожелания авторов учитываются.

   Вы можете скачать шаблон одностраничных тезисов в разделе Скачать сайта конференции. Файлы с тезисами принимаются Локальным оргкомитетом ICMNE-2021 по электронной почте icmne2021@gmail.com.

Последний срок отправки тезисов - 8 августа 2021.




Contact us To home page To Russian To English