 |
 |
14-я Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2021" (ICMNE-2021) с расширенной сессией "Квантовая информатика" состоится в подмосковном парк-отеле “Ершово”, г. Звенигород, с 4 по 8 октября 2021 г.
Эта конференция продолжает ряд регулярных Всероссийских (МНЕ-1999, МНЕ-2001, КИ-2002) и международных (ICMNE-2003, QI-2004, ICMNE-2005, QI-2005, ICMNE-2007, QI-2007, ICMNE-2009, QI-2009, ICMNE-2012, QI-2012, ICMNE-2014, QI-2014, ICMNE-2016, QI-2016, ICMNE-2018 и QI-2018) конференций.
|
 |
|
 |
Предварительный список докладчиков
здесь
|
14-я Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2021" (ICMNE-2021), включающая расширенную сессию "Квантовая информатика", будет проводиться в очно-заочной форме 4-8 октября 2021 в парк-отеле "Ершово", Звенигород, Московская область, Россия. Она продолжает серию Всероссийских конференций МНЕ-1999, МНЕ-2001, КИ-2002 и международных конференций ICMNE-2003, QI-2004, ICMNE-2005, QI-2005, ICMNE-2007, QI-2007, ICMNE-2009, QI-2009, ICMNE-2012, QI-2012, ICMNE-2014, QI-2014, ICMNE-2016, QI-2016, ICMNE-2018 и QI-2018.
Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей микро- и наноэлектронных технологий, а также физики микро- и наноразмерных приборов. ICMNE-2021 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере.
Тематика:
Физика микро- и наноразмерных приборов:
- Проблемы и пути масштабирования наноразмерных приборов и интегральных схем.
- Нанотранзисторы: CMOS FET, TFET, SET, молекулярные транзисторы и переключатели и т.д.
- Интегральные устройства памяти: DRAM, ReRAM, FeRAM.
- Приборы с 1D и 2D каналами.
- Углеродная микро- и наноэлектроника.
- Твердотельные приборы для THz генерации и детектирования.
- Магнитные микро- и наноструктуры и приборы, спинтроника.
- Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства.
- Приборы оптоэлектроники, фотоники.
- Сенсоры, микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS, BioMEMS).
- Моделирование приборов.
Технология и характеризация материалов для микро- и наноэлектроники:
- Si, SOI, SiGe, A3B5, A2B6.
- High-k, low-k диэлектрики.
- Металлические пленки в приборных структурах УБИС.
- 1D, 2D материалы.
- Магнитные материалы, наномагнетики.
- Материалы оптоэлектроники, фотовольтаики, метаматериалы.
Технологические процессы и перспективное технологическое оборудование микро- и наноэлектроники:
- Литография: иммерсионная, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт.
- Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
- Back-End of Line (BEOL) процессы для технологии УБИС.
- Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
- Технологии 3D-интеграции интегральных схем.
- Технология 2D материалов и структур для наноэлектроники (графен, MoS2, WS2 и др.
- Технологии 1D структур (нанопровода, нанотрубки).
- Технологии MEMS, NEMS, BioMEMS.
- Технологии изготовления сверхпроводящих приборов.
Метрология:
- Методы диагностики и управления технологическими процессами In situ (End-point детекторы, смарт-сенсоры).
- Методы контроля, диагностики и характеризации микро- и наноструктур.
Квантовая информатика:
- Квантовые компьютеры: теория и эксперимент.
- Квантовые измерения.
- Квантовые алгоритмы.
- Квантовая связь.
Организаторы и спонсоры:
- Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
- АО "НИИМЭ", Зеленоград, Россия
- Российский фонд фундаментальных исследований, Москва, Россия
- Oтделение нанотехнологий и информационных технологий РАН
- SPIE – The International Society for Optical Engineering
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
- Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
- TechnoInfo Ltd., Wembley, UK
- Компания НИКС, Москва, Россия
Язык:
Рабочий язык конференции – английский.
|
|